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| STB系列高頻、高脈沖電容器 | |||||
| 緩沖線路,可控硅整流線路,開關電源保護線路。 IGBT,MOSFET突波吸收 。 | |||||
| 高電壓,高脈沖,高du/dt | |||||
| 材料特性 | |||||
| 電容結構: | 雙層金屬化膜,內部串聯結構 | ||||
| 封裝: | 阻燃塑膠外殼,環氧樹脂封裝,符合(UL94V-0 )標準. | ||||
| 尺寸: | 適合于各種IGBT保護 。 | ||||
| (可按客戶需求定制特殊規格) | |||||
| 電氣特性 | |||||
| 電容量: | 0.001 to 1.5μF, 參考表格數據 | ||||
| 額定電壓: | 700 to 2000 Vdc | ||||
| 損耗角正切: | 測試條件 1000±20 Hz , 25±5℃. | ||||
| Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4 | |||||
| 絕緣電阻: | 3000s,s= MΩ. μF 測試條件 1 minute,100Vdc (25±5℃) | ||||
| 耐電壓: | 1.8Ur (DC)測試條件 2s,t 25±5℃,1Min | ||||
| 工作溫度: | -40~+85℃ | ||||