廈門中芯晶研半導體有限公司

（100）、(111)晶向N、P導電型單雙拋鍺（Ge）單晶片

外延級N型與半絕緣型4H碳化硅(4H-SiC)襯底晶片

單面或雙面拋光N型、P型砷化銦(InAs）半導體晶片

寬禁帶半導體：氮化鎵（GaN）單晶自支撐襯底片

III-V化合物半導體銻化銦（InSb）襯底晶片，N、P型

N型、P型、半絕緣型砷化鎵（GaAs）半導體襯底晶片

N型、P型、半絕緣型磷化銦（InP）化合物半導體襯底片

藍寶石\/硅\/碳化硅基氮化鎵（GaN）外延片：LED，LD，HEMT應用

常規與定制結構碳化硅（SiC）外延片用于功率器件

砷化鎵（GaAs）外延片：Hall、HEMT、HBT、LD、LED器件應用

中芯晶研供應外延級化合物半導體砷化鎵（GaAs）單晶片

外延生長砷化鎵（GaAs）薄膜用于微波射頻器件

銻化鎵（GaSb）單晶III-V族化合物半導體生產可供襯底與外延片

半導體材料生產商供應紅外、光學、外延級單晶鍺

半導體廠商供應III-V化合物砷化銦（InAs）單晶片

MOCVD\/HVPE生長寬禁帶半導體氮化鎵（GaN）薄膜片

MOCVD\/HVPE生長硅\/碳化硅\/藍寶石基氮化鎵（GaN）薄膜片

碳化硅（SiC）外延片用于SBD，MOSFET，MESFET等器件制備，可定制

N型、P型、半絕緣型4H-SiC單晶切割、拋光、超薄襯底片，可定制

III-V族直接帶隙半導體：導電型與半絕緣型氮化鎵（GaN）襯底