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本設(shè)備適用于對其有內(nèi)腔的微電子器件和半導體器件的氣密性進行粗檢漏，可利用氟氮化合物進行一步粗檢漏及二步粗檢漏，也可與氦質(zhì)譜檢漏儀相配合，利用氦氣進行檢漏。
主要技術(shù)指標：
1、加壓缸內(nèi)徑ф145毫米，深225毫米，加壓缸充氣系統(tǒng)額定氣壓2-7公斤/厘米2
2、檢漏精度：
一步氟氮化合物進行粗檢漏，可檢漏氣速率≥10-3 大氣壓厘米3/秒
二步氟氮化合物進行粗檢漏，可檢漏氣速率≥10-5 大氣壓厘米3/秒
二、技術(shù)指標
1. 設(shè)備安裝面積130×80（厘米），工作面高84厘米。
2. 加壓缸內(nèi)徑ф145毫米，深225毫米。
加壓缸充氣系統(tǒng)額定電壓：（2-7公斤/厘米2）176.133～686.466Kpa
電磁閥電源：交流220V
3. 檢漏液電加熱器額定功率500W，自動控溫
照明燈：220V，6W，1只
4. 循環(huán)水冷凝器耗水量5升/小時
5. 檢漏精度：
（1）一步氟碳化合物粗檢漏，可檢漏氣速率≥10-3大氣壓厘米3/秒
（2）二步氟碳化合物粗檢漏，可檢漏氣速率≥10-5大氣壓厘米3/秒 | 
