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西門(mén)子ET200模塊6ES7134-4GB10-0AB0
2AI, I, ST, 4-WIRE
西門(mén)子ET200模塊6ES7134-4GB10-0AB0
低頻運(yùn)行（<10Hz）造成的IGBT芯片溫度波動(dòng)會(huì)減小使用壽命，具體內(nèi)容可參考“【干貨學(xué)院】淺談溫度對(duì)IGBT的影響”。
通常對(duì)于運(yùn)行周期中低頻工作占比小于2%的情況下，現(xiàn)有S120電機(jī)模塊電流最大需要降容至75%，對(duì)于Chassis-2，脈沖頻率2.5 kHz則電流最大需要降容至90%，如果采用1.25 kHz的脈沖頻率則不需要考慮降容。對(duì)于運(yùn)行周期中低頻工作占比大于2%的情況下，現(xiàn)有S120電機(jī)模塊電流最大需要降容至50%，對(duì)于Chassis-2，脈沖頻率2.5 kHz則電流最大需要降容至70%，如果采用1.25 kHz的脈沖頻率最大需要降容至80%。
可以說(shuō)對(duì)比現(xiàn)有S120 Chassis-1，低頻運(yùn)行下Chassis-2 的降容減小了一半。
S120 Chassis-2的安裝海拔高度及環(huán)境溫度的降容表如下圖，Chassis-2 的運(yùn)行溫度為-10°C~+45°C，環(huán)境溫度高于45°C及安裝海拔高度大于1000米需要考慮降容，同時(shí)Chassis-2 還給出了環(huán)境溫度60°C的降容數(shù)據(jù)。
得益于新型IGBT，采用散熱片及IGBT間傳導(dǎo)率更高的新型導(dǎo)熱膏，創(chuàng)新設(shè)計(jì)的散熱片，優(yōu)化的冷卻系統(tǒng)及風(fēng)扇，S120 Chassis-2的降容特性得到進(jìn)一步優(yōu)化，為工程應(yīng)用提供了更加經(jīng)濟(jì)可靠的解決方案。
