西門子plc模塊6ES7223-3BD30-0XB0

西門子plc模塊6ES7223-3BD30-0XB0西門子plc模塊6ES7223-3BD30-0XB0

PPI（點(diǎn)對點(diǎn)接口）是西門子為S7- 200系統(tǒng)開發(fā)的通汛協(xié)議。 PPI是一種書-從協(xié)議：主站設(shè)備發(fā)送要求到從站設(shè)備，從站設(shè)備響應(yīng)，從站不主動發(fā)信息，只是等待主站的要求和對要求作出響應(yīng)。PPI網(wǎng)絡(luò)中可以存多個主站。PPI并不限制與任意一個從站通訊.的主站數(shù)審，但是在1個網(wǎng)段中，通訊站的數(shù)量不能超過32個。帶中繼器的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)如圖1 -6所示

圖I帶中繼器的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)

     S7 -200 CPU上集成的通訊口支持PPI通訊，不iS離的CPU通訊口支 持的標(biāo)準(zhǔn)通訊距離為50 m,如果使用對RS 4SS中繼器，町以達(dá)到 RS-4S5的標(biāo)準(zhǔn)通訊距離1 200 m。PP] £持的通tU速率為9. 6 K波特、 19,2 K波特和187.5 K波特。

     運(yùn)行編程軟件Step7 - JVticr〇/WINf32的計(jì)算機(jī)可以認(rèn)為是一個 PPI主站。要荻得1S7. 5 K波特的JPP1通訊速率，必須有CP卡、Smart： RS，232/PPI電纜或Smart USB/TPI電纜作為編程 接口，其設(shè)備，如TD200文本M示器/m70 micra等操作面板（HM])，也可 以通過PPI協(xié)議和S7 - 200 CPU連接。圖1 - 7所示為掛在Profikls^DP網(wǎng)絡(luò)上的S7 - 200_.。

S7-200 數(shù)據(jù)保持方式及注意事項(xiàng)

S7 200提供幾種保持?jǐn)?shù)據(jù)的方法_，用戶根據(jù)芯要靈活選用：

CPU中內(nèi)置超級電容，在不太長的斷電期間內(nèi)為保持?jǐn)?shù)據(jù)和時(shí)鐘提供 電源，不需要附件；

CPU上附加電池卡，與內(nèi)置趙級電容配合，長期為時(shí)鐘和數(shù)據(jù)保持提供電源；

使用數(shù)據(jù)模塊，*保存不需要更改的數(shù)據(jù)；

編程時(shí)設(shè)置系統(tǒng)塊，可在CPU斷電時(shí)自動*保存至多14個字節(jié)的數(shù)據(jù)；

在用戶程序中編程，根據(jù)需要*保存數(shù)據(jù)。 

西門子6ES7212-1AB23-0XB8詳細(xì)說明 “作為電池行業(yè)的數(shù)字化創(chuàng)新中心，們的目標(biāo)是為創(chuàng)新鏈和產(chǎn)業(yè)鏈提供的數(shù)字化解決方案，涵蓋從性原理計(jì)算到數(shù)字化雙胞胎工廠、從物料到系統(tǒng)的各個方面，”TIES院長李泓教授說    一、S7 -200的數(shù)據(jù)存儲區(qū)

   S7-200 CPU中的數(shù)據(jù)#儲岡分為兩類：易失性的RAM存儲區(qū)，以及*保存的EEPROM(■存儲區(qū)。RAM存儲區(qū)需要為其提供電源方能保持其中的數(shù)據(jù)不丟失。

   S7 - 200中的V數(shù)據(jù)存儲區(qū)、M存儲區(qū)都屬于易失性數(shù)據(jù)存儲區(qū)。要保 存T(定時(shí)器）和C(計(jì)數(shù)器）數(shù)據(jù)，也需要提供電源。

S7 -200 CPU提供 EEPROM存儲器。EEPROM不需要另外的供電就能水久保存數(shù)據(jù)。EKPROM對應(yīng)于RAM中的V存儲區(qū)和M存儲區(qū)的--部 分，要把數(shù)據(jù)存人EEPROM,需要做一呰設(shè)置•或者編程_.

在S7 200項(xiàng)目的系統(tǒng)坱中，有設(shè)置RAM數(shù)據(jù)保持區(qū)的選項(xiàng)。西門子6ES7212-1AB23-0XB8詳細(xì)說明{ 如果選中某個數(shù)據(jù)區(qū)，則〔TMJ會在斷電時(shí)通過內(nèi)置超級電容和 電池卡（如果有）保持其中的數(shù)據(jù)；如果內(nèi)置超級電容放電完畢而i 數(shù)據(jù)消失，或者選擇了不保持某+數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù).則下次CTLI J 上電時(shí)，會把EKPROM中相應(yīng)的區(qū)域的內(nèi)容復(fù)制到RAM中。