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本設備適用于對其有內腔的微電子器件和半導體器件的氣密性進行粗檢漏，可利用氟氮化合物進行一步粗檢漏及二步粗檢漏，也可與氦質譜檢漏儀相配合，利用氦氣進行檢漏。
主要技術指標：
1、加壓缸內徑ф145毫米，深225毫米，加壓缸充氣系統額定氣壓2-7公斤/厘米2
2、檢漏精度：
一步氟氮化合物進行粗檢漏，可檢漏氣速率≥10-3 大氣壓厘米3/秒
二步氟氮化合物進行粗檢漏，可檢漏氣速率≥10-5 大氣壓厘米3/秒
二、技術指標
1. 設備安裝面積130×80（厘米），工作面高84厘米。
2. 加壓缸內徑ф145毫米，深225毫米。
加壓缸充氣系統額定電壓：（2-7公斤/厘米2）176.133～686.466Kpa
電磁閥電源：交流220V
3. 檢漏液電加熱器額定功率500W，自動控溫
照明燈：220V，6W，1只
4. 循環水冷凝器耗水量5升/小時
5. 檢漏精度：
（1）一步氟碳化合物粗檢漏，可檢漏氣速率≥10-3大氣壓厘米3/秒
（2）二步氟碳化合物粗檢漏，可檢漏氣速率≥10-5大氣壓厘米3/秒 | 
