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碳化硅成型彎頭
碳化硅是Si和C二元系統中唯一的二元化合物。其原子比是1:1。下面主要講解下碳化硅的特性。
1 穩定性較好。
在HCl、H2SO4和HF中煮沸也不受侵蝕。SiC同硅酸在高溫下也不發生反應,故具有抵抗酸性熔渣的良好性能。SiC同石灰在525度開始反應,在1000度附近反應顯著,與氧化銅的反應在800度已強烈進行。。同氧化鐵在1000-1200度,進行反應,到1300度已明顯崩裂反應。同氧化錳反應從1360度起到崩裂反應。SiC在氯氣中,從600度開始與之反應,到1200度可使其分解為SiCl4和CCl4。熔融堿在熾熱下可使SiC分解。
2 抗氧化性較好
碳化硅在常溫下,抗氧化性很好,在合成SiC時殘留的Si、C及氧化鐵對SiC的氧化程度有影響。在普通氧化氣氛下純SiC可在高達1500度的溫度下安全使用,而含有部分雜質的碳化硅,在1220度會發生氧化。
3 抗熱震性較好。
由于碳化硅不熔化和分解出蒸氣的溫度很高,并具有很高的導熱性和低的熱膨脹性,從而具有好的抗熱震性。



碳化硅耐磨彎頭
一、無壓燒結。無壓燒結目前已成為制作碳化硅陶瓷的主要方法,這種燒結方法是在溫度比較地的情況下進行的,其微觀結構因此而得到了很明顯的細化,因此這種方法制作出來的碳化硅陶瓷強度和韌度有了很大的改善。
二、熱壓燒結。采用熱壓燒結的制作方法,可以獲得致密的碳化硅陶瓷,并且碳化硅陶瓷的顯微結構和力學性能、熱血性能在燒結的過程中添加一些添加劑之后,會有很大的不同,比如加入一些化學元素B后,碳化硅陶瓷晶粒的尺寸明顯減小,但是其強度卻因此得到了很大的提高。
三、熱等靜壓燒結。這種方法能夠實現無添加劑的碳化硅陶瓷的致密燒結,實驗表明,在1850度的時候,就可以獲得高密度的無添加劑的碳化硅陶瓷。
四、反應燒結。這種燒結方法首先在美國研制成功的,采用這種方法燒結碳化硅陶瓷也比較多,因為它能夠少接觸無孔且致密的反應燒結體。