KRI 射頻離子源在光學加工中具有高的去除率和好的穩定性

離子束拋光技術已經成為光學表面超精加工中常用的最后一道工序, 原子量級的材料去除使得離子束拋光加工具有納米、亞納米級別的加工精度. 離子束拋光系統中的核心部件是離子源, 離子源的性能直接決定了該離子束機床的修形能力.

去除函數, 是光學面形確定性加工的基礎, 去除函數指的是單位時間內材料去除量在空間上的分布函數, 反應材料的去除速率. 影響光學表面拋光加工精度的主要因素之一是去除函數的形狀、穩定性以及峰值去除率. 高斯型的去除函數是光學鏡面拋光加工最理想的去除函數形狀.

KRI 射頻離子源在光學加工中具有高的去除率和穩定性

在光學加工中, 伯東工程師推薦使用 KRI 射頻離子源, 其主要優點有:

1. 不使用陰極, 靠射頻輻射激發等離子體, 因此, 不受使用氣體的限制, 工作壽命也較長.

2. 射頻離子源是無極放電的離子源, 因此不存在陰極消耗, 使用壽命較長, 對被加工工件的污染可大大減少; 

3. 射頻感應生產的等離子體中只有單荷離子, 幾乎沒有雙荷離子, 因此, 離子對屏柵的濺射較小, 也增加了束流的均勻性.

伯東代理美國考夫曼公司 KRI 離子源, 可選的射頻離子源類型多, 客戶可根據自己的工藝選擇所對應之型號: 射頻離子源 RFICP 380, 射頻離子源 RFICP 220, 射頻離子源 RFICP 140, 射頻離子源 RFICP 100, 射頻離子源 RFICP 40

結果:

通過實際應用表明, 射頻離子源去除函數的形狀為回轉高斯形, 在靶距為30mm, 離子能量為 900eV時, 去除函數的峰值去除率 194nm/min, 體積去除率為19.2x10^-3mm³/min, 半峰全寬值為9.2mm; 并且去除函數的峰值去除率與體積去除率的變化均在3%以內, 半峰全寬值的變化在1.7%以內.

因此, 射頻離子源具有光學鏡面拋光加工所需的去除效率, 而且射頻離子源具有好的穩定性, 具備光學加工的潛能.

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