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反射鏡的反射率取決于表面的粗糙度, 因此, 為了解決反應(yīng)燒結(jié)碳化硅存在的孔洞和雙金屬性問題, 普遍采用通過(guò)給表面鍍制一層厚的硅或者碳化硅的方法, 一達(dá)到表面改性的目的.
碳化硅材料憑借其優(yōu)異的物理性能和良好的加工特性成為當(dāng)前空間應(yīng)用的主要新型反射鏡材料.
離子源輔助鍍膜的薄膜制備工藝已成為一種成熟、高效的方法. 霍爾離子源可以通過(guò)電離惰性氣體, 輸出離子流密度均勻并具有較高能量的等離子體.
KRI 霍爾離子源輔助制備碳化硅改性薄膜
某國(guó)內(nèi)精密光學(xué)制造商為了進(jìn)一步提高碳化硅反射鏡基底表面光學(xué)質(zhì)量, 滿足高質(zhì)量空間光學(xué)系統(tǒng)的應(yīng)用需求, 采用電子槍蒸發(fā)純硅, KRI 霍爾離子源噴出的氫離子電離甲烷, 并以離子輔助沉積的方法在反應(yīng)燒結(jié)碳化硅基底上鍍制了表面改性用碳化硅薄膜, 并對(duì)改性膜層進(jìn)行了光學(xué)拋光處理.
KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列產(chǎn)品特性:
1.無(wú)柵極
2.高電流低能量
3.發(fā)散光束 >45°
4.可快速更換陽(yáng)極模塊
5.可選 Cathode / Neutralize 中和器
在離子源工作之前, 鍍膜腔體需要將真空度抽至8x10-4 Pa, 該國(guó)內(nèi)精密光學(xué)制造商采用普發(fā) Pfeiffer Hipace 80 對(duì)鍍膜腔體進(jìn)行抽真空.
渦輪分子泵 HiPace 80 技術(shù)參數(shù)
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分子泵型號(hào) |
接口 DN |
抽速 l/s |
壓縮比 |
最高啟動(dòng)壓強(qiáng)mbar |
極限壓力 |
全轉(zhuǎn)速氣體流量hPa l/s |
啟動(dòng)時(shí)間 |
重量 |
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|
進(jìn)氣口 |
排氣口 |
氮?dú)?br /> N2 |
氦氣He |
氫氣 H2 |
氮?dú)?br /> N2 |
氮?dú)釴2 |
hPa |
氮?dú)釴2 |
min |
kg |
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HiPace 80 |
63 |
16 |
67 |
58 |
48 |
> 1X1011 |
22 |
< 1X10–7 |
1.3 |
1.75 |
2.4 |
伯東美國(guó) KRI 離子源和 Pfeiffer 分子泵 Hipace 80 滿足客戶的工藝需求. 制造商在該工藝條件下制備的碳化硅薄膜為α相, 通過(guò)高分辨光學(xué)顯微鏡對(duì)拋光后的反應(yīng)燒結(jié)碳化硅基底進(jìn)行缺陷觀察, 發(fā)現(xiàn)改性拋光后基底表面缺陷和孔洞明顯減少.
這種鍍制碳化硅表面改性的方法在拋光后可以有效降低表面粗糙度, 并且散射值有了明顯的降低, 不到改性之前的1/8. 制備的碳化硅薄膜在冷人溫度沖擊下非常穩(wěn)定, 無(wú)脫膜、龜裂.
伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.
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