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上海宣鴻電子科技有限公司主要代理經(jīng)營世界各國公司生產(chǎn)的電力電子器件，主要包括熔斷器功率模塊、IGBT模塊、可控硅模塊、整流橋模塊、二極管模塊、IGBT單管IGBT驅(qū)動電路和驅(qū)動板、單三相整流橋模塊、IPM模塊、PIM模塊、GTR達林頓模塊快恢復二極管、肖特基二極管等。
主要品牌包括: 巴斯曼、英飛凌、歐派克、日本三社、IXYS艾賽斯、西門康、富士、三菱、新電源、東芝、IR、摩托羅拉、西門子、英達、三肯、三洋、APT、ST等功率模塊。
關(guān)于型號：本公司為廠家貨源直銷，因產(chǎn)品眾多，部分現(xiàn)貨型號后期陸續(xù)上架，未上架型號有需要的親歡迎咨詢.
我司代理功率半導體產(chǎn)品及配套器件，IGBT以及配套驅(qū)動。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗、不懈的開拓精神及良好的商業(yè)信譽，在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)形象，同時與多家電力電子企業(yè)和上市公司長期保持著穩(wěn)定互信的合作關(guān)系，也是眾多電子廠商（富士、三菱、英飛凌、西門康，艾塞斯，尼爾，ABB，西瑪，三社、宏微等）的誠信代理商和分銷商。通過多年的實戰(zhàn)經(jīng)驗，公司積累了堅實的功率半導體應用知識為電力拖動、風力發(fā)電、電焊機、電力機車等行業(yè)提供完善專業(yè)的解決方案，為客戶提供技術(shù)支持！
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上；IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見；IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，作為 戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空 、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
