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          PM50CSD060? IGBT模塊高壓IGBT電子元器件日本三菱全新原裝

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          產(chǎn)品價格: 900/人民幣 
          最后更新: 2025-07-17 13:29:54
          產(chǎn)品產(chǎn)地: 江蘇蘇州
          發(fā)貨地: 江蘇蘇州 (發(fā)貨期:當天內(nèi)發(fā)貨)
          供應數(shù)量: 不限
          有效期: 長期有效
          最少起訂: 1
          瀏覽次數(shù): 35
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        2. 公司基本資料信息
          • 上海萱鴻電子科技有限公司
          • 李經(jīng)理小姐 銷售經(jīng)理
          • 會員[家家通會員產(chǎn)品]
          • 郵件869217999@qq.com
          • 手機18501630698
          • 電話
          • 傳真
          • 地址上海市松江區(qū)樂都西路825弄89,90號5層
          • 進入商鋪
           
          產(chǎn)品詳細說明
          產(chǎn)品參數(shù)
          型號CM75DY-28H
          材質(zhì)
          批號22
          輸入電壓1200V
          輸出電流400A
          用途電源模塊
          是否進口
          封裝標準封裝
          加工定制
          工作環(huán)境室內(nèi)式
          數(shù)量999
          品牌三菱

            上海萱鴻電子提供巴斯曼Bussmann、英飛凌infineon、西門康、西門子Siemens、三社、艾賽斯、日之出、富士等廠家熔斷器、可控硅模塊、晶閘管、IGBT模塊、二極管整流橋的半島體模塊,咨詢熱線:。

            三菱系列:

            1 IGBT額定電壓的選擇

            三相380V輸入電壓經(jīng)過整流和濾波后,直流電壓的值:

            在開關工作的條件下,fGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級,選擇1 電壓等級的IGBT。

            2 IGBT額定電流的選擇

            以30kW器為例,負載電流約為79A,由于負載電氣啟動或加速時,電流過載,一般要求1分鐘的時間內(nèi),承受1.5倍的過流,擇負載電流約為 ,建議選擇電流等級的IGBT。

            3 IGBT開關參數(shù)的選擇

            的開關頻率一般小于10 kH Z,而在實際工作的過程中,fGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大,建議選擇低通態(tài)型IGBT,以30 kW ,逆變頻率小于10kH z的變頻器為例,選擇IGBT的開關參數(shù)見表1。

            4 影響IGBT可靠性因素

            1)柵電壓。

            IGBT工作時,必須有正向柵電壓,常用的柵驅(qū)動電壓值為15~187,用到20V, 而棚電壓與柵極Rg有很大關系,在設計IGBT驅(qū)動電路時, 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值,設計合適驅(qū)動參數(shù),保證合理正向柵電壓。因為IGBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關系,正向柵電壓越高,開通損耗越小,正向壓降也咯小。

            在橋式電路和大功率應用情況下,為了避免干擾,在IGBT關斷時,柵極加負電壓,一般在-5- 15V,保證IGBT的關斷,避免Miller效應影響。

            2)Miller效應。

            為了降低Miller效應的影響,在IGBT柵驅(qū)動電路中采用改進措施:(1)開通和關斷采用不同柵電阻Rg,on和Rg,off,確保IGBT的有效開通和關斷;(2)柵源間加c,對Miller效應產(chǎn)生的電壓進行能量泄放;(3)關斷時加負柵壓。在實際設計中,采用三者合理組合,對改進Mille r效應的效果更佳。

            5 結(jié)束語

           ?。?)IGBT是逆變器主要使用的主要功率開關器件,也是逆變器中主要工作器件,合理選擇IGBT是保證IGBT可靠工作的前提,同時,要根據(jù)三相逆變電路結(jié)構(gòu)的特點,選擇低通態(tài)型IGBT為佳。


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