IGBT模塊LGM50HF120S2F2A

產(chǎn)品價格：	/人民幣
最后更新：	2024-11-23 09:36:32
產(chǎn)品產(chǎn)地：	上海
發(fā)貨地：	福建泉州市 (發(fā)貨期：當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量：	不限
有效期：	長期有效
最少起訂：	1
瀏覽次數(shù)：	37

公司基本資料信息

福建安溪燦宏電子科技有限公司
蔡電慶先生經(jīng)理
會員[家家通會員產(chǎn)品]
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地址福建省泉州市安溪金龍現(xiàn)代廣場A懂2206室

產(chǎn)品詳細(xì)說明

陸芯新一代Trench Field-Stop技術(shù)的650V 10A~200A 系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A 系列IGBT、1700V系列IGBT；通過設(shè)計和優(yōu)化器件的導(dǎo)通壓降Vcesat，開關(guān)損耗Eon和Eoff，短路能力Tsc，達(dá)到更高功率密度，更優(yōu)異性能，更強可靠性；完適應(yīng)于新能源車，電機驅(qū)動，高頻電源，感應(yīng)加熱等各類領(lǐng)域和行業(yè)需求。
特點和優(yōu)勢：
1.優(yōu)化耐壓終端環(huán)，實現(xiàn)IGBT高阻斷電壓，達(dá)到工業(yè)級和汽車級可靠性標(biāo)準(zhǔn)；
2.控制少子壽命，優(yōu)化飽和壓降和開關(guān)速度，實現(xiàn)安全工作區(qū)（SOA）和短路電流安全工作區(qū)SCSOA性能優(yōu)；
3.改善IGBT有源區(qū)元胞設(shè)計可靠性，抑制IGBT的閂鎖效應(yīng)；
4.調(diào)節(jié)背面減薄、注入、退火、背金等工藝；實現(xiàn)60um~180um晶圓厚度的大規(guī)模量產(chǎn)。
LGM40HF120S2F2A
LGM100HF120S2F1A
LGM100HF120S2F1B
LGM75HF120S2F2
LGM200HF120S4F1A
LGM150HF120S4F2
LGM400HF65S4T1A
LGM50FFB120C1T1H
LGM40FFB120C1T1
LGM240TU120Q1F2
LGM450ML65Q2F2
LGM400HF65S4T1A
LGM600HF65S4T1
LGM150FFB120C2T1M
LGM200SG65S1T1
LGM10PJ120E1T3A
LGM15PJ120E1T3A
LGM50HF120S2F2A

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