伯東 KRI 考夫曼離子源用于大口徑光學元件 KDP 晶體的濺射與刻蝕

為了滿足激光慣性約束核聚變對光學晶體磷酸二氫鉀（KDP）晶體所需的面形精度、表面質量的高要求, 對降低 KDP 晶體表面粗糙度和消除 KDP 晶體表面周期性刀痕, 某廠商采用離子源產生的離子束進行KDP晶體的沉積修正拋光.

該廠商采用雙離子源濺射沉積系統, 其中一個離子源采用伯東 KRI 聚焦射頻離子源 RFICP 380 對靶材進行濺射, 另一個離子源采用伯東 KRI 平行考夫曼離子源 KDC 100 對樣品進行離子刻蝕.

其工作示意圖如下：

用于濺射的 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術參數:

推薦理由：

聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

用于刻蝕的 KRI 平行考夫曼離子源 KDC 100 技術參數：

* 可選: 可調角度的支架

推薦理由：

使用 KRI 平行型射頻離子源 RFICP 100 可以準確、靈活地對樣品選定的區域進行刻蝕, 可以使大口徑光學元件 KDP 晶體表面更均勻

運行結果:

1. 濺射沉積的KDP晶體表面的均勻性在5%以內, 刻蝕均勻性在5%以內

2. 離子束刻蝕可以消除KDP晶體表面周期性刀痕

3. KDP晶體表面粗糙度降低到1.5nm,達到了預期目的

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

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