KRI 考夫曼射頻離子源用于碳化硅微納結構表面刻蝕

為了解決飛秒激光加工硬質材料所帶來的表面質量差的問題, 國內某制造商用伯東聚焦型射頻離子源 RFICP 380 輔助飛秒激光加工技術對碳化硅微納結構表面進行刻蝕.

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術參數:

推薦理由:

使用 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380可以準確、靈活地對樣品選定的區域進行刻蝕、減薄.

工藝簡介：

在碳化硅表面制備微納結構圖形, 然后通過 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 對碳化硅微納結構進行刻蝕, 以調控結構的線寬和深度.

運行結果:

1. 結構表面粗糙度由約 106nm 降低到 11.8nm

2. 碳化硅線條結構周圍的毛刺基本消失, 線條結構表面的粗糙度得到顯著改善, 降低結構表面的粗糙度實現高平滑度微光學元件的制備

3. 通過 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 碳化硅菲涅爾波帶片展現出良好的聚焦和成像效果

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

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