AP10N10 NMOS SOT89 n溝道增強型mos場效應管

 場效應管廣泛使用在模擬電路中與數字電路中，和我們的生活密不可分。場效應管的優勢在于：首先驅動電路比較簡單。場效應管需要的驅動電流比BJT則小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅動電路；某次場效應管的開關速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因為沒有電荷存儲效應；另外場效應管沒有二次擊穿失效機理，它在溫度越高時往往耐力越強，而且發生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內提供較好的性能。場效應管已經得到了大量應用，在消費電子、工業產品、機電設備、智能手機以及其他便攜式數碼電子產品中隨處可見。
世微半導體MOS管采用SGT工藝，性能優越，品質好，具有高頻率、大電流、低開啟電壓、低內阻、結電容小、低消耗、低溫升、高轉換效率、過電流大、抗沖擊能力強、開關損耗小等的優點。
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 Green Device Available
Excellent Cdv/dt effect decline
 Advanced high cell density Trench
technology
The 10N10 is the hig hestp erformance trench N-
ch MOSFETs with extreme high cell density,
which provide excellent RDSON and gate charge
for most of the synchronous buck converter
applications .
The meet the RoHS and Green Product
requirement, 100% EAS guaranteed with full
function reliability approved.

內阻：85 mΩ