KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射制 TiSiN-Ag 薄膜

為了研究 Ag 元素對 TiSiN 薄膜結構及性能的影響, 江蘇某大學課題組采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射法制備了不同 Ag 含量的 TiSiN-Ag 薄膜, 并采用EDS, XRD, XPS, TEM, CSM 納米壓痕儀, UMT-2 摩擦磨損儀和 BRUKER 三維形貌儀對薄膜的成分/ 微結構/ 力學性能和摩擦磨損性能進行了研究

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:

Ti N 薄膜是金屬氮化物的代表性材料,具有硬度高/ 耐摩擦/ 化學穩定性強等優點, 作為工模具耐磨涂層已得到了廣泛的應用, 但其硬度和抗氧化性能有待進一步加強. 向 Ti N 中添加 Si 元素, 形成的 Ti-Si N 薄膜硬度是 Ti N 薄膜的 2 倍, 當 Si 含量為 21.28% 時 Ti Si N 薄膜的氧化溫度為800℃, 高于 Ti N 薄膜的 300℃, 但其摩擦系數在 0.65 左右, 摩擦性能需要進一步提高.  Ag和Au等貴金屬在室溫和中溫范圍內具有良好的潤滑性, Ag 摻入耐磨涂層中可以改善其摩擦磨損性能.  

KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.

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