可控硅IGBT模塊英飛凌FS200R07N3E4R_B11可控硅晶閘管

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使用時(shí)注意如下幾點(diǎn)：
a、 IGBT柵-射極驅(qū)動(dòng)回路往返接線不能太長(zhǎng)（一般應(yīng)該小于1m），并且應(yīng)該采用雙絞線接法，防止干擾。
b、 由于IGBT集電極產(chǎn)生較大的電壓尖脈沖，增加IGBT柵極串聯(lián)電阻RG有利于其安全工作。但是柵極電阻RG不能太大也不能太小，如果 RG增大，則開(kāi)通關(guān)斷時(shí)間延長(zhǎng)，使得開(kāi)通能耗增加；相反，如果RG太小，則使得di/dt增加，容易產(chǎn)生誤導(dǎo)通。
c、 圖中電容C用來(lái)吸收由電源連接阻抗引起的供電電壓變化，并不是電源的供電濾波電容，一般取值為47 F.
d、 6腳過(guò)電流保護(hù)取樣信號(hào)連接端，通過(guò)快恢復(fù)二極管接IGBT集電極。
e、 14、15接驅(qū)動(dòng)信號(hào)，一般14腳接脈沖形成部分的地，15腳接輸入信號(hào)的正端，15端的輸入電流一般應(yīng)該小于20mA,故在15腳前加限流 電阻。
f、 為了保證可靠的關(guān)斷與導(dǎo)通，在柵射極加穩(wěn)壓二極管。