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上海萱鴻電子科技有限公司
代理功率半導體產品及配套器件，IGBT可控硅，晶閘管，熔斷器等以及配套驅動網(wǎng)上供應商。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗、不懈的開拓精神及良好的商業(yè)信譽，在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)形象，同時與多家電力電子企業(yè)和上市公司長期保持著穩(wěn)定互信的合作關系，也是眾多電子廠商（富士、三菱、INFINEON英飛凌、SEMIKRON西門康，IXYS艾賽斯，尼爾，ABB，西瑪，三社、宏微、SIEMENS西門子，BUSSMANN巴斯曼，美爾森等）的誠信代理商。通過多年的實戰(zhàn)經(jīng)驗，公司積累了堅實的功率半導體應用知識，為電力拖動、風力發(fā)電、電焊機、電力機車等行業(yè)提供完善的解決方案，為客戶提供技術支持！大量現(xiàn)貨歡迎來電咨詢。詢價必回，量大價優(yōu)！！
對于IGBT的門極所需的驅動功率的大小計算，我們經(jīng)常在拿到IGBT規(guī)格書的時候會根據(jù)其中的Qg或者輸入電容
Ciss(Ciss=Cge+Cgc)做一個大致的計算,P=Qg*ΔVge*f或者P=Ciss*5*ΔVge?*f，今天我們就來聊聊IGBT驅動器驅動功率的計算。
關于IGBT的使用，我們在評估完IGBT本身特性參數(shù)的時候，可以重要的就是驅動器的選擇和設計了，此時我們經(jīng)常會遇到，如Datasheet描述的參數(shù)不是太充分，驅動電阻應該如何選擇(這個一般IGBT廠家都會有一個推薦值，在其附近選取，再根據(jù)實際情況進行調整)等等一些不確定因素或者問題，在這之前，我覺得對于一個驅動器的設計，重要的因素還是其驅動功率，這一點達不到，其他因素都沒有意義了。
1.
確定門極電荷Qg和門極電容
對于設計一個驅動器來說，重要的參數(shù)莫過于門極電荷Qg的大小，同時確定實際的門極輸入電容Cies的大小，因為Datasheet中給到的輸入電容大小一般是個參考值，確定實際門極輸入電容是一重要意義的。
我們可以通過測量門極的充電過程來確定實際輸入結電容Cin的大小。首先，在負載端沒有輸出電壓的情況下，我們可以進行下面這樣的計算：
門極電荷Qg=∫idt=C*ΔV
確定了門極電荷Qg之后，我們可以通過門極充電過程中的門極電壓上升過程，示波器可以測量出ΔV，那么利用公式可以計算出實際的門極輸入電容
Cin=Qg/ΔV
這里的測得的實際輸入結電容Cin在我們的設計中是具有很大意義的。
2.
關于Ciss
在IGBT的Datasheet中，我們經(jīng)常會看到一個參數(shù)Ciss，在實際電路應用中，這個參數(shù)其實并不算一個很有用的參數(shù)，是因為它是通過電橋測得的，由于測量電壓太小而不能達到門極的門檻電壓，實際開關過程中的miller效應并沒有能包涵在內。在測量電路中，一個25V的電壓加在集電極上，在這種測量方法下測得的結電容要比Vce=0的時候要小一些，因此，規(guī)格書中的Ciss這個參數(shù)一般用于IGBT相互做對比時使用。
一般我們使用下面的經(jīng)驗公式根據(jù)規(guī)格書的Ciss來計算輸入電容Cin的大小
Cin=5Ciss
3.
驅動功率的計算
接下來讓我們看看應該如何來計算驅動功率。
在輸入結電容中存儲的能量可以通過如下公式計算：
W=1/2*Cin*ΔU?
其中，ΔU是門極上上升的整個電壓，比如在±15V的驅動電壓下，ΔU就是30V。
在每個周期，門極被充電兩次，一個IGBT所需的驅動功率我們可以按下式計算：
P=f*Cin*ΔU?
如果門極電荷先前通過測量得到了，那么
P=f*Qg*ΔU
這個功率是每個IGBT驅動時所必須的，但門極的充放電時基本沒有能量損失的，這個功率實際上損失在驅動電阻和外部電路中。當然，設計時還需要考慮其他方面的損耗，比如供電電源的損耗。
4.
驅動電流的計算
驅動器的輸出電流必須大于等于實際所需要的門極驅動電流，計算公式如下：
Ig,max=ΔU/Rg,min
ΔU是整個門極上升電壓，而Rg,min是電路中選取的驅動電阻。
