半導體迅速熱處理專用諧波減速機CSF-40-120-2UH工藝中，需要對晶圓做快速熱處理（rapid thermal processing，RTP），即在幾秒或更短的時間內把晶圓加熱到1000 ℃左右。
晶圓的加熱一般使用大功率的燈泡或
激光。高功率激光束按一定的路徑在晶圓表面掃描，快速加熱晶圓（laser scanning annealing，LSA）。這種快速熱處理工藝主要用來激活摻雜（dopant activation）、熱氧化（thermal oxidaton）等。
然而，RTP和LSA工藝的快速升溫經常導致晶圓翹曲（warpage），給隨后的
光刻對準增加了困難。快速熱處理工藝后晶圓的
套刻誤差增大，不能符合工藝指標的要求
在RTP工藝中，單片晶片被放置在密閉的RTP反應艙中，利用特定熱源及預設的升溫程序進行加熱晶片，以快速達到所要求的溫度。在溫度控制方面，有以高溫計(pyrometer)量測感應晶片所輻射出的在某特定波長下的熱，以計算出最理想的精確度。過去所努力的焦點都是放在如何精密地控溫而提高溫度的均一性，及發展出不同的加熱周期與程序以降低熱預算(thermalbudget)。然而，影響半導體工藝品質的因素除了RTP工藝溫度的均一性之外，也不能忽視在RTP工藝中產生的微粒污染。
請參閱圖1，其繪示的是現有技藝RTP反應艙10的剖面示意圖，其中半導體晶片12被平放在三根石英針14上，并準備以配置在RTP反應艙10中的加熱燈管16及18進行加熱。RTP反應艙10具有外殼20，其具有高拋光內壁22，并有氣密門24使晶片得以進出。半導體晶片的溫度利用高溫計26進行量測，半導體迅速熱處理專用諧波減速機CSF-40-120-2UH并連結至計算機32以控制加熱燈管16及18的輸出，同時計算機也控制氣體流量單元30以及工藝氣體28。
現有技藝利用旋轉半導體晶片的方式使其加熱溫度或使成長在晶片表面的薄膜能夠更為均勻，請參閱圖2，其繪示的是現有RTP方法的流程圖。首先，如步驟42，先將半導體晶片載入剛剛降溫下來的RTP反應艙中，其中半導體晶片平放在石英針上，且一開始，半導體晶片的溫度約為室溫，低于RTP反應艙的內壁溫度(通常為30至80℃)。接著，如步驟44，使半導體晶片水平旋轉。接著，如步驟46，將工藝氣體導入RTP反應艙中。最后，如步驟48，以儲存在計算機中的預設升溫程序，開始進行半導體晶片的加熱。然而，上述現有技藝以旋轉半導體晶片方式進行均勻熱處理的RTP方法卻容易導入微粒污染。
