泰克80E08B雙通道30GHz光電采樣模塊參數(shù)

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泰克80E08B雙通道30GHz光電采樣模塊參數(shù)

品牌：Tektronix

型號：80E08B   80E08B   80E08B

類型：采樣模塊

規(guī)格：個

Tao Bao店鋪：東莞市天興電子科技

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泰克80E08B雙通道30GHz光電采樣模塊參數(shù)

產(chǎn)品介紹

Tektronix 80E08B 是雙通道時域反射計(TDR)采樣模塊，80E08B 電模塊zu1多可提供18 ps入射上升時間。模塊的每條通道都可以產(chǎn)生可在TDR模式下使用的快速階躍，而且，采樣模塊的采集部分會監(jiān)測入射階躍和任何反射能量。80E08B 光模塊可獨立選擇每條通道階躍的極性。這允許在對隔離線進行獨立測試的同時，對兩條耦合線進行差分或共模 TDR 測試或 S 參數(shù)測試。每條通道獨立產(chǎn)生階躍實現(xiàn)了真正差分測量，從而確保了差動設備的測量精度。

Tektronix 80E08B 電采樣模塊是小型、全面集成的獨立2米遠程采樣器系統(tǒng)，使得采樣器可放置在 DUT 附近，并確保zu1佳信號保真度。80E08B 的采樣帶寬為 30 GHz（用戶可選擇30 GHz 或 20 GHz）。這個模塊通過使用TDR階躍驅動一條線來檢定串擾（或者使用一個線對來檢定差分串擾），同時使用另一條通道來監(jiān)測另一條線（或另一個線對）（或者使用另一個模塊來檢定差分串擾）。

規(guī)格參數(shù)

一、通道數(shù)：2

二、上升時間：11.7 ps(從0.35帶寬上升時間乘積計算)

三、動態(tài)范圍：1.0 Vp-p

四、偏移距：±1.1 V

五、zu1大工作電壓：±1.1 V

六、zu1大無損電壓，直流ACp-p：2.0V

七、數(shù)字化位數(shù)：16位

八、靈敏度范圍：10mV 到1.0 V

九、均方根噪聲，zu1大值：

1.30 GHz:≤410 μV (300 μV)

2.20 GHz: ≤380 μV (280 μV)

十、TDR階躍振幅：250 mV

十一、TDR系統(tǒng)反映上升時間：20 ps

十二、TDR系統(tǒng)入射上升時間：18 ps

十三、TDR級下降幅度：±250 ps

十四、TDR采樣器下降幅度：±250 ps

十五、TDR步zu1大重復頻率：300 KHz

十六、尺寸：55mm(2.2 in) × 25mm(1 in) × 75mm(3 in)

十七、重量：0.175 kg(0.37 lb)

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