伯東 KRI 離子源成功應(yīng)用于離子濺射鍍膜 (IBSD)

美國(guó)考夫曼公司Gridded Ion Sources (柵極離子源) 系列 RFCIP離子源  (射頻電源式考夫曼離子源), KDC 離子源 (直流電源式考夫曼離子源) 已廣泛被應(yīng)用于離子濺射鍍膜 (IBSD) 工藝.

離子濺射鍍膜是在部分真空的濺射室中輝光放電, 產(chǎn)生正的氣體離子；在陰極（靶）和陽(yáng)極（試樣）間電壓的加速作用下, 荷正電的離子轟擊陰極表面, 使陰極表面材料原子化；形成的中性原子, 從各個(gè)方向?yàn)R出, 射落到試樣的表面, 于是在試樣表面上形成一層均勻的薄膜.

伯東 KRI考夫曼離子源可控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使濺射 (Sputtering) 時(shí)靶材 (Target) 被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密, 高質(zhì)量之薄膜. 考夫曼離子源可依客戶濺射 (Sputtering) 工藝條件選擇 RFICP 離子源 (射頻電源式考夫曼離子源) 或是 KDC 離子源 (直流電原式考夫曼離子源).

規(guī)格如下:

RFCIP 離子源 (射頻式考夫曼離子源) : RFICP 40, RFICP 100, RFICP 140, RFICP 220, RFICP 380 

KDC 離子源 (直流式考夫曼離子源): KDC10, KDC40, KDC75, KDC100, KDC160.

伯東公司為 Kaufman & Robinson, Inc (美國(guó)考夫曼公司) KRI 離子源大中國(guó)區(qū)總代理.

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, Gel-Pak 芯片包裝盒, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

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