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《工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標(biāo)準(zhǔn)》28年修訂(GB12348-28);《土工合成材料應(yīng)用技術(shù)規(guī)范》(GB529-98);《建筑結(jié)構(gòu)可靠度設(shè)計(jì)統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)》(GB568-21);《建筑地基基礎(chǔ)設(shè)計(jì)規(guī)范》(GB57-22);《混凝土結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范》(GB51-21);《工業(yè)與民用供配電系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)范》(GB552-95);《低壓配電裝置及線路設(shè)計(jì)規(guī)范》(GB554-92);《建筑電氣設(shè)計(jì)技術(shù)規(guī)范》(JBJ/T16-28);《工業(yè)企業(yè)設(shè)計(jì)衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)》(GBZ1-21);《室外排水設(shè)計(jì)規(guī)范》(GB514-26);《三廢處理工程技術(shù)手冊(cè)》;《地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB3838-22);《一般工業(yè)固體廢物貯存、處置場(chǎng)污染物控制標(biāo)準(zhǔn)》(GB18599-21);《建筑結(jié)構(gòu)荷載規(guī)范》(GB59-21);《建筑給水排水設(shè)計(jì)規(guī)范》(GB515-29);《電力裝置的繼電保護(hù)和自動(dòng)裝置設(shè)計(jì)規(guī)范》(GB562-28);其他現(xiàn)行和地方有關(guān)規(guī)范、規(guī)定、標(biāo)準(zhǔn)。

M:X533D提供1.25~13.2V的可調(diào)電壓。過溫度保護(hù)電路用到的芯片是MBI181。該芯片內(nèi)部有溫度感應(yīng)器,可感應(yīng)到芯片的溫度。可通過R-EXT管腳自動(dòng)調(diào)整輸出電流,這樣就可以改變LED上的電流,從而可以降低LED的溫度,起到過溫度保護(hù)的作用。基于以上這些優(yōu)點(diǎn),因此選用了以M:X533和MBI181為主的芯片來實(shí)現(xiàn)該驅(qū)動(dòng)電路。設(shè)計(jì)出的LED驅(qū)動(dòng)電路圖如所示,主要分為三大部分:電源電路,驅(qū)動(dòng)電路和過溫度保護(hù)電路。

延安12噸灑水車價(jià)格Ebert等[46]在經(jīng)過O2/CF4等離子刻蝕的PDMS表面,分別采用C4F8等離子改性和常溫氣相沉積PFOTCS進(jìn)行改性制備了超疏水表面,并對(duì)其超疏水性能進(jìn)行了鑒定。綜上所述,采用常溫常壓CVD技術(shù)改性制得的超疏水膜層相較于sol-gel法等液相法改性制得的膜層疏水性、均勻性、化學(xué)穩(wěn)定性和環(huán)境耐久性均更優(yōu)異。但該方法制得的超疏水膜層的疏水層很薄,通常為單分子或幾個(gè)分子層厚度,耐沖擊和磨損能力弱,僅能用于不受力的場(chǎng)合。離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD是指借助外部所加電場(chǎng)的作用引起放電,使原料氣體成為等離子體狀態(tài),變?yōu)榛瘜W(xué)上非常活潑的激發(fā)分子、原子、離子和原子團(tuán)等,促進(jìn)化學(xué)反應(yīng),在基材表面形成薄膜。PECVD具有常溫常壓CVD技術(shù)的絕大多數(shù)優(yōu)點(diǎn),并且由于等離子體的作用及等離子體參與反應(yīng),使反應(yīng)物和基材表面均產(chǎn)生大量離子、自由基和亞穩(wěn)態(tài)物質(zhì)等活性基團(tuán),降低反應(yīng)發(fā)生的溫度,縮短反應(yīng)時(shí)間,使熱力學(xué)上難以發(fā)生的反應(yīng)變?yōu)榭赡埽龠M(jìn)化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行。




延安12噸灑水車價(jià)格二沉污泥(secondeysludg:從二次沉淀池(或沉淀區(qū))排出的沉淀物。活性污泥(activatedsludge):曝氣池中繁殖的含有各種好氧微生物群體的絮狀體。消化污泥(digestedsludge):經(jīng)過好氧消化或厭氧消化的污泥,所含有機(jī)物質(zhì)濃度有一定程度的降低,并趨于穩(wěn)定。回流污泥(returnedsludge):由二次沉淀(或沉淀區(qū))分離出來,回流到曝氣池的活性污泥。剩余污泥(excessactivatedsludge):活性污泥系統(tǒng)中從二次沉淀池(或沉淀區(qū))排出系統(tǒng)外的活性污泥。



