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采用磁控濺射的方法制備了Ta/NiFe/Ta磁電阻薄膜，分別將CoFe-NOL和Al2O3插層引入NiFe薄膜，研究納米氧化。

層(NOL)對(duì)NiFe薄膜性能的影響.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明；將CoFe-NOL引入NiFe薄膜，CoFe-NOL對(duì)NiFe薄膜性能有重要影響，并且CoFe-NOL在薄膜中的位置不同影響效果也不同；CoFe-NOL處于Ta/NiFe界面時(shí)，由于破壞了NiFe薄膜的織構(gòu)，導(dǎo)致了NiFe薄膜的各向異性磁電阻(AMR)值的減小和矯頑力的上升CoFe-NOL處于NiFe/Ta界面時(shí)，則不會(huì)破壞NiFe薄膜的織構(gòu)，其AMR值和矯頑力基本沒有變化。將Al2O3插層引入NiFe薄膜，由于Al2O3插層的“鏡面反射”作用，合適厚度的Al2O3插層可以改善薄膜的微結(jié)構(gòu)，提高薄膜的磁電阻值，改善薄膜的磁性能。當(dāng)Al2O3插層厚度為1.5 nm時(shí)，NiFe薄膜有的微結(jié)構(gòu)和性能。