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電容器的選用方法
一.選擇合適的型號
根據(jù)電路要求，一般用于低頻耦合、旁路去耦等，電氣性能要求較低時，可以采用紙介電容器、電解電容器等。
晶體管低頻放大器的耦合電容器，選用1～22μF的電解電容器。旁路電容器根據(jù)電路的工作頻率來選，如在低頻電路中，發(fā)射極旁路電容選用電解電容器，容量在10～220μF之間；在中頻電路中，可選用0.01~0.1μF的紙介、金屬化紙介、有機薄膜電容器等；在高頻電路中應選擇高頻瓷介質電容器；若要求在高溫下工作，則應選玻璃釉電容器等。 在電源濾波和退耦電路中，可選用電解電容器。因為在這些使用場合，對電容器性能要求不高，只要體積不大，容量夠用就可以了。
對于可變電容器，應根據(jù)電容統(tǒng)調的級數(shù)，確定應采用單聯(lián)或多聯(lián)的可變電容器，然后根據(jù)容量的變化范圍、容量變化曲線、體積等要求確定相應品種的電容器。
二.合理確定電容器的容量和誤差
電容器容量的數(shù)值，必須按規(guī)定的標稱值來進行選擇。
電容器的誤差等級有多種，在低頻耦合、去耦、電源濾波等電路中，電容器可以±5%、±10%、±20%等誤差等級，但在振蕩回路、延時電路、音調控制電路中，電容器的精度要稍高一些；在各種濾波器和各種網(wǎng)絡中，要求選用高精度的電容器。
第三：耐壓值的選擇
為保證電容器的正常工作，被選用的電容器的耐值不僅要大于實際工作電壓，而且還要留有足夠的余地，一般選用耐壓值為實際工作電壓兩倍以上的電容器。
第四：注意電容器的溫度系數(shù)，高頻特性等參數(shù)
在振蕩電路中的振蕩元件、移相網(wǎng)絡元件、濾波器等，應選用溫度系數(shù)小的電容器，以確保其性能。
貼片電容介紹：
貼片電容名片式積層電容是一次性高溫燒結而成的也是由印好電極（內電極）的陶瓷介質膜片以錯位的方式疊合而成。
貼片電容內部結構簡介：
貼片電容主要包括三大部分：陶瓷介質、內電極、端電極.其中陶瓷介質的主要作用是在電場作用下，極化介電儲能。當電場變化時極化率相應發(fā)生變化時，由于不同介質種類的主要極化類型不同，其對電場變化的響應速度和極化率也不相同。
電極分為內電極與端電極。其中內電極位于貼片電容器內部，主要提供電極板正對面積，它與介質一般是交替疊放。
貼片電容是一種小型電容器，它的封裝規(guī)格有0201 0402 0603 0805 1206等幾種，材質有X7R Z5U Y5V NPO四種，最常用的是X7R與NPO材質。
貼片電容介質強度表征的是介質材料承受高強度電場作用而不被電擊穿的能力,通常用伏特/密爾(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示. 當外電場強度達到某一臨界值時,材料晶體點陣中的電子克服電荷恢復力的束縛并出現(xiàn)場致電子發(fā)射,產(chǎn)生出足夠多的自由電子相互碰撞導致雪崩效應,進而導致突發(fā)擊穿電流擊穿介質,使其失效.除此之外,介質失效還有另一種模式,高壓負荷下產(chǎn)生的熱量會使介質材料的電阻率降低到某一程度,如果在這個程度上延續(xù)足夠長的時間,將會在介質最薄弱的部位上產(chǎn)生漏電流.這種模式與溫度密切相關,介質強度隨溫度提高而下降.
任何絕緣體的本征介質強度都會因為材料微結構中物理缺陷的存在而出現(xiàn)下降,而且和絕緣電阻一樣,介質強度也與幾何尺寸密切相關.由于材料體積增大會導致缺陷隨機出現(xiàn)的概率增大,因此介質強度反比于介質層厚度.類似地,介質強度反比于片式電容器內部電極層數(shù)和其物理尺寸.基於以上考慮,進行片式電容器留邊量設計時需要確保在使用過程中和在進行耐壓測試(一般為其工作電壓的2.5倍)時,不發(fā)生擊穿失效.
正確選擇一顆貼片電容時，除了要提供其規(guī)格尺寸及容量大小外，還必須特別注意到電路對這顆片式電容的溫度系數(shù)、額定電壓等參數(shù)的要求。貼片電容標準命名方法及定義：貼片電容的命名，國內和國外的產(chǎn)家有一此區(qū)別但所包含的參數(shù)是一樣的
相信很多人被一個問題困擾著，那就是貼片電容容量不好識別，特別是個人使用有時候想換個電容都不知道要怎么換，為何貼片電容上面沒有印字識別呢？首先貼片電容不同于電阻，電容材質是陶瓷產(chǎn)品，在生產(chǎn)中無法絲印字體上去，一般標識都貼在封裝上面，所以大家在購買時要看好盤裝上的標簽。如果您不懂貼片電容轉換法可參考我司另一篇新聞:貼片電容單位換算法
如果您需要替換電路中的電容卻不知道它的容量，那只能使用萬用表或者電橋測試出它的容量了。
貼片電容由6個部分構成
第一部份為：產(chǎn)品規(guī)格。
第二部份為：溫度特性（又簡稱材質）。
第三部份為：額定電壓。
第四部份為：額定容量。
第五部份為：額定容量的允許偏差。
第六部份為：包裝方式。
【例】C2012 X7R 1H 102 K T 0000
（1） （2） （3）（4） （5） （6） (7)
尺 寸 （單位：mm）
TDK(代碼)
額定電壓 L W T
1005（C0402）1H，1E，1C，1A 1．00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05
1608(C0603) 1H，1E，1C，1A 1.6±0.1 0.8±0.1 0.8±0.1 (0.8+0.15/-0.10)
2012(C0805) 1H，1E，1C，1A 2.0±0.2 1.25±0.2 0.60±0.15 0.35±0.15 1.25±0.20
3216(C1206) 1H,1E,1C,1A,OJ 3.2±0.2 1.6±0.2 0.60±0.15 0.85±0.15
1.15±0.15 1.30±0.20 3.2+0.3/-0.1 1.6+0.3/-0.1 1.60+0.3/-0.1
3225(C1210) 1H, 1E, 1C 3.2±0.4 2.5±0.3 1.15±0.15 1.60±0.30 2.00±0.30
4532(C1812) 1H, 1E, 1C 4.5±0.4 3.2±0.4 1.30±0.20 1.60±0.30 2.00±0.30 2.30±0.30
5750(C2220) 1H, 1E, 1C 5.7±0.4 5.0±0.4 1.60±0.30 2.00±0.30 2.30±0.30 2.80±0.30
（2）溫度特性：
項 目 性 能 項 目 性 能
靜電容量溫度特性（I類）
溫度系（數(shù)PPM/℃）
COG：
0±30
C H
0±60
容量漂移：±0.2%或±0.05PF max (兩大中取大者)
靜電容量溫度 特性（II類）
溫度特性
變化率（%）
B±10 X5R±15X7R ±15
F+30-80
Y5V+22-82
（3）額定電壓：
O J
DC 6.3V 1E
DC 25V 1 A
DC 10V 1H
DC 50V 1 C
DC 16V
( 4 )公稱靜電電容以３位數(shù)字法表示，單位為ＰＦ。前兩位數(shù)字表示容量的有效值，第三位數(shù)字表示10的乘冂（即‘０’的個數(shù)）。字母‘Ｒ’表示非整數(shù)值之小數(shù)點，但首位數(shù)不得為‘０’。
【例】335→3，300，000PF（3.3UF） (33×105 =3,300,000PF)
080→8.0PF (8×100 =8.0Pf) 4R7→4.7PF
(5)靜電容量允許容差
記號
C±0.25pf、D±0.5pf、J±5%、K±10%、M±20%、Z+80/-20%
允許容差
靜電容量
10pf(含)以下
10PF以上
