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Honeywell 霍尼韋爾氣體探測器XNX-UTAV-MNIV1便攜式甲烷探頭
氧化鎵是一種寬禁帶半導體,禁帶寬度Eg=4.9eV,其導電性能和發光特性良好,因此,其在光電子器件方面有廣闊的應用前景,被用作于Ga基半導體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。這些是氧化鎵的傳統應用領域,而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。
雖然氧化鎵的導熱性能較差,但其禁帶寬度(4.9eV)超過碳化硅(約3.4eV),氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)的。由于禁帶寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。采用寬禁帶材料制成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕,并且能應對更高的功率,有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。此外,寬禁帶允許在更高的溫度下操作,從而減少對龐大的冷卻系統的需求。
XNX-UTAV-RNIV1
XNX-UTAV-RHIV1
XNX-UTAV-MNIV1
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