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Honeywell 霍尼韋爾氣體探測器SPXCDULNCXM有毒氣體探頭
他們開發了一種新的外延生長方法,在在Si上沉積III-V材料,從而獲得良好的材料質量。最重要的一點是,該工藝與CMOS工藝兼容,這就是他們所謂的“模板輔助選擇性外延”(Template-Assisted-Selective-Epitaxy,縮寫TASE)工藝。
據介紹,IBM的這個工藝設計是為了將高遷移率材料集成成納米級別的sheets而設計的,他們也Si上集成了高性能InGaAs GAA nanosheet N-FETs。據報道,Nanosheets的厚度可以做到10nm,晶體管的柵極長度小于40nm,且柵極金屬環繞通道,以實現最佳的柵極控制。

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