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Honeywell 霍尼韋爾氣體探測器SPXCDUSNG1氯化氫偵測器
從Cadence博主Paul McLellan的文章我們可以看到，三星研究人員將將他們采用全環柵(GAA)晶體管設計的3nm CMOS技術叫做多橋通道(MBC)架構。據介紹，這個由納米片(nanosheets)的水平層制成的溝道完全被柵極結構包圍。
三星聲稱，這種技術具有高度可制造性。因為它利用了該公司現有的約90%的FinFET制造技術，而只需要少量修改過的光掩模。他們用它構建了一個功能齊全的高密度SRAM宏。他們表示，該工藝具有出色的柵極可控性(65 mV / dec亞閾值擺幅(subthreshold swing))，這比公司的FinFET技術高31%，且因為納米片通道寬度可通過直接圖案化來改變，這就給設計提供了靈活性。
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