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Honeywell 霍尼韋爾氣體探測器SPXCDUSNHX可燃氣體檢測器探頭
在3nm的時候,三星計劃引入了Gate-All-Around(簡稱GAA),也就是環繞柵極。相比于現在的FinFET Tri-Gate三柵極設計,這個重新設計了底層結構的晶體管能克服當前技術的物理、性能極限,增強柵極控制,獲得性能大大提升。在日前的IEDM上,三星晶圓代工業務負責人表示,三星已經完成了3nm工藝技術的性能驗證,并且在進一步完善該工藝,目標是在2020年大規模量產。

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主營:Honeywell霍尼韋爾氣體探測,Micro Motion艾默生高準質量流量計,羅斯蒙特變送器,霍尼韋爾控制系統與集成,燃燒控制產品,環境自控,閥門執行器、開關等。
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