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有機硅鉬板是利用硅源Si2Cl6和硅化條件和它的一些屬性進行了審查。該板塊硅化鉬首先沉積，如4 MoSi2，初始階段6米厚（10分鐘后），然后進行合并的儲存，30分鐘后形成一層均勻的MoSi2的硅化鉬板。由陽極溶解的有機硅板的重量在0.2 M硫酸成倍的增加，減少了MoSi2的層的厚度。海水、海砂的腐蝕，有機硅鉬板磨損，使電阻率增加，從而增加硅化溫度和Si2Cl6的流量。
名稱：鉬板,鉬片、圓鉬板
牌號：Mo1，Mo3G(MoLa10)，TZM(鉬合金364)，JMo1，，鉬360，鉬361
1) 技術(shù)條件： GB/T 3876-2007(鉬及鉬合金板)，GB/T 3877-83(鉬箔)，ASTM B386-91(鉬和鉬合金中厚板、薄板、帶材和箔材)
2) 用途：用于電子、航空、航天、電光源、真空爐中發(fā)熱體、隔熱屏、鉬舟、鉬坩堝等。
注：本公司采用專有生產(chǎn)工藝，經(jīng)軋制生產(chǎn)的熱、冷軋高溫鉬板、片、帶產(chǎn)品，將鉬的在結(jié)晶溫度提高了500℃～700℃，
使用具有更高的高溫性能。滿足真空爐使用溫度1850℃的隔熱屏材料的需要。
3) 鉬板材牌號、狀態(tài)和規(guī)格見表1：
表1
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牌號 |
生產(chǎn)方法 |
供應(yīng)狀態(tài) |
規(guī)格(mm) |
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厚度 |
寬度 |
長度 |
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Mo1 Mo3G TZM(鉬364) JMo1 鉬361 |
粉末冶金 |
硬狀態(tài)(Y) 消除應(yīng)力狀態(tài)(m) |
0.1～1.0 |
50～600 |
100～2000 |
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熱軋狀態(tài)(R) |
1.0～30 |
50～600 |
100～1500 |
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Mo1 鉬360 |
真空電弧熔煉 |
硬狀態(tài)(Y) 消除應(yīng)力狀態(tài)(m) |
0.1～1.5 |
50～600 |
100～2000 |
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熱軋狀態(tài)(R) |
1.5～30 |
50～600 |
100～1500 |
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4) 鉬板材厚度、寬度、長度及允許偏差見表2：
表2 單位：mm
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厚度 |
厚度允許偏差 |
寬度 |
寬度允許偏差 |
長度 |
長度允許偏差 |
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Ⅰ級 |
Ⅱ級 |
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0.10～0.15 |
±0.01 |
±0.02 |
50～200 |
±2.0 |
100～2000 |
±5.0 |
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>0.15～0.30 |
±0.02 |
±0.03 |
50～500 |
±2.0 |
100～2000 |
±5.0 |
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>0.30～0.50 |
±0.03 |
±0.04 |
50～600 |
±2.0 |
100～2000 |
±5.0 |
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>0.50～0.70 |
±0.04 |
±0.05 |
50～600 |
±3.0 |
100～2000 |
±5.0 |
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>0.70～1.0 |
±0.05 |
±0.08 |
50～600 |
±3.0 |
100～2000 |
±5.0 |
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>1.0～2.0 |
±0.06 |
±0.10 |
50～400 |
±5.0 |
100～1200 |
±5.0 |
|
>2.0～3.0 |
±0.08 |
±0.15 |
50～400 |
±5.0 |
100～1200 |
±5.0 |
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>3.0～4.0 |
±0.10 |
±0.20 |
50～400 |
±5.0 |
100～1200 |
±5.0 |
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>4.0～5.0 |
±0.12 |
±0.30 |
50～400 |
±5.0 |
100～1200 |
±5.0 |
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>5.0～30.0 |
±0.20 |
±0.50 |
50～400 |
±5.0 |
100～1200 |
±5.0 |
