Keithley  2602B吉利時數字源表需要儀器歡迎聯系本公司

東莞市誠峻信電子儀器有限公司 總公司 
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美國吉時利KEITHLEY源表2600B系列研究領域：
各種器件的I-V功能測試和特征分析，包括：
 離散和無源元件 
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅動器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
–三抽頭器件——小信號雙極結型晶體管（BJT）、場效應晶體管（FET）等等 
 簡單IC器件——光學器件、驅動器、開關、傳感器
 集成器件——小規模集成（SSI）和大規模集成（LSI）
–模擬IC 
–射頻集成電路（RFIC）
–專用集成電路（ASIC）
–片上系統（SoC）器件
 光電器件，例如發光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發射激光器（VCSEL）、顯示器
 圓片級可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移
太陽能電池電池暫態抑制器件C、RFIC、MMIC激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測器電路保護器件:TVS、MOV、熔絲安全氣囊連接器、開關、繼電器碳納米管半導體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機電子基本運放電路二極管和電路晶體管電路測試：漏流低壓、電阻LIVIDDQI-V特征分析隔離與軌跡電阻溫度系數正向電壓、反向擊穿、漏電流直流參數測試直流電源HIPOT介質耐受性雙極結型晶體管設計結型場效應晶體管設計金屬氧化物半導體場效應晶體管設計太陽能電池和 LED 設計高電子遷移率晶體管設計復合半導體器件設計分析納米材料和實驗器件碳納米管的電測量標準測量碳納米管電氣特性提高納米電子和分子電子器件的低電流測量在低功率和低壓應用中實現準確、可靠的電阻測量納米級器件和材料的電氣測量提高超高電阻和電阻率測量的可重復性一種微分電導的改進測量方法納米技術準確電氣測量的技術納米級材料的電氣測量降低外部誤差源影響的儀器技術迎接65nm節點的測量挑戰測量半導體材料的高電阻率和霍爾電壓用微微微安量程測量電流柵極電介質電容電壓特性分析評估氧化層的可靠性zui新的半導體器件結構設計和試驗低電阻、低功耗半導體器輸出極低電流和測量極低電壓分析現代材料、半導體和納米電子元件的電阻低阻測量(低至10nΩ)分析導通電阻參數、互連和低功率半導體。用于先進CMOS技術的脈沖可靠性測試高K柵極電介質電荷俘獲行為的脈沖特性分析用6線歐姆測量技術進行更高準確度的電阻測量配置分立電阻器驗證測試系統電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產測試多臺數字源表的觸發器同步

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