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機房空調氟利昂壓縮機故障講解和解決方法-純干貨
機房空調氟利昂壓縮機常見的故障及排除方法與氨機基本相同。此外還遇到一些其他故障如下：
（1）吸氣溫度過高
原因：機房空調制冷劑不足或泄漏；蒸發器內制冷劑不足；膨脹閥開度過小。
排除：檢漏（連接和焊縫處有油跡）和消除漏點；補充制冷劑；調整供液量；加大閥的開度使吸氣溫度比蒸發溫度高10~15℃。
（2）吸氣壓力過高
原因：機房空調制冷劑過量；熱負荷過大；膨脹閥開度不當；感溫包安裝不牢；壓縮機排量減少；油分離器回油失靈。
排除：放出多余制冷劑；調整負荷；調整閥的開度；感溫包重新包扎；檢查排氣閥片，并對其修復或更換；檢查修復自動回油或暫用手動回油。
（3）吸氣壓力過低
原因：機房空調制冷劑不足；冰塞；蒸發器結霜太厚；臟堵或含油太多；膨脹閥開度太??；感溫包泄漏；供油管上的閥門、出液閥開度??；電磁閥故障；過濾器堵塞。
排除：充注制冷劑以滿足要求；換干燥過濾器，除去系統中水分；應定期除霜；淸洗去污或把油放出去；凋整膨脹閥開度；更換熱力膨脹閥；把閥門、出液閥開大；檢修或更換電磁閥；拆下、清洗過濾器。
（4）排氣溫度過高
原因：機房空調負荷大；余隙容積太大；排氣閥片、墊片破損竄氣；吸氣過熱度大；汽缸冷卻不好。
排除：減少負荷；用汽缸熱片調整余隙；檢查后更換閥片或墊片；增加過液量；加大冷卻水量。
（5）排氣溫度過低
原因：壓縮機吸入液體；膨脹閥供液太多；冷負荷不足；蒸發器結霜太厚。
排除：減少吸氣閥開度；調節供液使回氣過熱度在5~10℃；調節負荷；定期掃霜或沖霜。
（6）排氣壓力過高
原因：主要是冷凝器的問題，如系統中存在不凝性氣體；水閥未開或開度不大、水壓太低引起水量不足或水溫太高；風冷式冷凝器風機未開或風量不足；制冷劑充注太多（無貯液器時）冷凝器的污垢太多；壓縮機排氣閥未開到最大；排氣管不暢通。
排除：在高壓排氣端放氣；打開水閥，提高水壓；開啟風機，減小風阻；排除多余制冷劑；淸洗冷凝器，注意水質；開大排氣閥：疏通排氣管。
（7）排氣壓力過低
原因：機房空調制冷劑不足或有泄漏；排氣閥漏氣；冷卻水量過大，水溫過低；能量調節不當。
排除：檢漏和消除漏點，補充制冷劑；檢修或更換閥片；減少冷卻水量；檢修能量調節裝置。
（8）濕壓縮（液擊）
原因：機房空調蒸發器液面過高；負荷太大；吸氣閥開得太快。
排除：調節供液閥；調節負荷（調節能量調節位置）；吸氣閥應慢慢開啟，如有液擊現象應關小。
（9）油壓過高
原因：油壓調節不當；油管不暢；油壓表不準。
排除：重新調整油壓閥（放松彈簧）；檢查淸洗油管；更換壓力表。
（10）油壓過低
原因：機房空調油量不足；調節不當；油濾器堵塞或進油口堵塞；油泵磨損；（蒸發器）真空運行。
排除：補充油量；調整油壓凋節閥；拆下淸洗，去除堵塞物；修理油泵；調整運行使曲軸箱壓力高于大氣壓力。
（11）油溫過高
原因：機房空調排氣溫度過高；油冷卻不好；裝配間隙太小。
排除：解決排氣壓力高的原因；加大冷卻水量；調整間隙。
（12）電動機過熱
原因：機房空調電壓低，造成電流大；潤滑不好；超載運行；系統有不凝性氣體；電動繞組絕緣破損。
排除：檢查電壓低原因并消除它；查潤滑系統并給予解決；減載運行；排放不凝性氣體；檢查或更換電動機。
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怎樣才能做好機房屏蔽
工程中實用的表征材料屏蔽效能的公式為:SE=A+R(dB)
在近場區,孔洞的泄漏還與輻射源的特性有關.當輻射源是電場源時,孔洞的泄漏比遠場時小(屏蔽效能高),而當輻射源是磁場源時,孔洞的泄漏比遠場時要大(屏蔽效能低).近場區,孔洞的電磁屏蔽計算公式為:
用這個定義式只電磁屏蔽能測試屏蔽材料的屏蔽效能,而無法確定應該使用什么材料做屏蔽體.要確定使用什么材料制造屏蔽體,需要知道材料的屏蔽效能與材料的什么特性參數有關。
R=20lg(ZW/ZS)(dB)電磁屏蔽
SE=100-20lgL-20lgf+20lg[1+2.3lg(L/H)](dB)
一般除了低頻磁場外,大部分金屬材料可以提供1電磁屏蔽00dB以上的屏蔽效能.但在實際中,常見的情況是金屬做成的屏蔽體,并沒有這么高的屏蔽效能,甚至幾乎沒有屏蔽效能.這是因為許多設計人員沒有了解電磁屏蔽的關鍵。
·同一種屏蔽材料,對于不同的電磁波,屏蔽效能使不同的,對電場波的屏蔽效能最高,對磁場波的屏蔽效能最低,也就是說,電場波最容易屏蔽,磁場波最難屏蔽;
·屏蔽電場波時,使用導電性好的材料,屏蔽磁場波時,使用導磁性好的材料;
在保護的空間內,當采用屏蔽電纜時其屏蔽層應至少兩端并在防雷區交界處做等電位連接,當系統要求只在一端做等電位連接時,應采用雙層屏蔽.引入到遠動機房的非屏蔽線纜應敷設在金屬管道內,實現導電貫通,并連接到共用接地體上.所選用的金屬管道最好采用鐵管。
若L≥λ/2,SE=0(dB)
1、機房電磁電磁屏蔽的產生與危害
SE=48+20lgZC-20lgL·f+20lg[1+2.3lg(L/H)]
電磁屏蔽是解決電磁兼容問題的重電磁屏蔽要手段之一.大部分電磁兼容問題都可以通過電磁屏蔽來解決.用電磁屏蔽的方法來解決電磁干擾問題的最大好處是不會影響電路的正常工作,因此不需要對電路做任何修改。
式中,Zw=電磁波的波阻抗,Zs=屏蔽材料的特性阻抗。
在機房的四周(靜電地板下面)用3X35的紫銅帶繞機房四周一圈,并且與接地線緊固連接。
式中:Zc=輻射源電路的阻電磁屏蔽屬網格做為屏蔽層,用金屬網格罩住窗戶。
·一般情況下,材料的導電性和導磁性越好,屏蔽效能越高;
根據機房實際情況設計了微孔防塵屏蔽天花板,并采用配套的輕鋼龍骨.設計具有質輕、防火、防潮、吸音、防塵等性能,不但可以很好屏蔽電磁的干擾,而且可以配合防眩光燈盤不會產生眩光。
9、等電位連接與地網電磁屏蔽電磁干擾的綠色安全空間。
SE=20lg(E1/E2)(dB)
7、布設機房等電位匯流排與地網
式中各量:L=縫隙的長度(mm),H=縫隙的寬電磁屏蔽度(mm),f=入射電磁波的頻率(MHz)。
2、怎樣做好電磁屏蔽?
8、線路屏蔽。
對于一個厚度為0材料上的孔洞,在遠場區中,最壞情況下(造成最大泄漏的極化方向)的屏蔽效能(實際情況下屏蔽效能可能會更大一些)計算公式為:
6、天花板墻面的屏蔽處理
計算機在使用過程中能在元器件表面積聚大量的靜電電荷.最典型的就是顯示器在使用過后用手去觸摸顯示屏幕就會發生劇烈的靜電放電現象,這就是顯示器屏幕上的電荷與我們人體上所帶異號電荷發生中和時所產生的靜電放電現象,至于靜電放電的定義,這里就不再敘述,有興趣的讀者可以自行查閱資料.由于靜電放電過程是電位、電流隨機瞬間變化的電磁輻射,所以,不管是放電能量較小的電暈放電,還是放電能量較大的火花式放電,都可以產生電磁輻射.而我們在前面已經提到計算機本身包含有大量的高電磁靈敏度的電路以及元器件,所以,在使用過程中如果遇到靜電放電現象(ESP),出現的后果是不可預測的.靜電放電現象對計算機的危害可分為硬性損傷和軟性損傷,硬性損傷就是指由于ESP過于強烈而導致的如顯卡、CPU、內存等電磁靈敏度很高的元器件被擊穿,從而無法正常工作甚至徹底電磁屏蔽報廢.靜電放電所造成的硬性損傷的破壞程度主要取決于靜電放電的能量及元器件的靜電敏感度,也和危害源與敏感器件之間的能量耦合方式,相互位置有關.軟性損傷則是指由于靜電放電時產生的電磁干擾(其電磁脈沖頻譜可達Mhz~Ghz)造成的存儲器內部存儲錯誤、比特數位移位,從而產生如死機、非法操作、文件丟失、硬盤壞道產生等隱性錯誤,相對于硬性損傷,它更難被發現。
其次,機箱上總是會有電纜穿電磁屏蔽出(入),至少會有一條電源電纜.這些電纜會極大地危害屏蔽體,使屏蔽體的屏蔽效能降低數十分貝.妥善處理這些電纜是屏蔽設計中的重要內容之一(穿過屏蔽體的導體的危害有時比孔縫的危害更大)。
SE=20lg[(D/L)+20lg(1+2.3lg(L/H)]
·屏蔽電場波時,屏蔽體盡量靠近輻電磁屏蔽射源,屏蔽磁場源時,屏蔽體盡量遠離磁場源;
電磁波的波阻抗定義為電場分量與磁場分量的比值:Zw=E/H.在距離輻射源較近(<λ/2π,稱為近場區)時,波阻抗的值取決于輻射源的性質、觀測點到源的距離、介質特性等.若輻射源為大電流、低電壓(輻射源電路的阻抗較低),則產生的電磁波的波阻抗小于377,稱為低阻抗波,或磁場波.若輻射源為高電壓,小電流(輻射源電路的阻抗較高),則波阻抗大于377,稱為高阻抗波或電場波.關于近場區內波阻抗的具體計算公式本文不予論述,以免沖淡主題,感興趣的讀者可以參考有關電磁場方面的參考書.當距離輻射源較遠(>λ/2π,稱為遠場區)時,波波阻抗僅與電場波傳播介質有關,其數值等于介質的電磁屏蔽特性阻抗,空氣為377Ω.屏蔽材料的阻抗計算方法為:
從上面幾個公式,就可以計算出各種屏蔽材料的屏蔽效能了,為了方便設計,下面給出一些定性的結論。
timereleaseVitaminC;首先,需要了解的是電磁屏蔽與屏蔽體接地與否并沒有關系.這與靜電場的屏蔽不同,在靜電中,只要將屏蔽體接地,就能夠有效地屏蔽靜電場.而電磁屏蔽卻與屏蔽體接地與否無關,這是必須明確的。
·在近場區設計屏蔽時,要分別考慮電場波和磁場波的情況;
式中的R稱為屏蔽材料的反射損耗,是當電磁波入射到不同媒質的分界面時發生的,計算公式為:
屏蔽體的有效性用屏蔽效能來度量.屏蔽效能是沒有屏蔽時空間某個位置的場強E1與有屏蔽時該位置的場強E2的比值,它表征了屏蔽體對電磁波的衰減程度.用于電磁兼容目的的屏蔽體通常能將電磁波的強度衰減到原來的百分之一至百萬分之一,因此通常用分貝來表述屏蔽效能,這時屏蔽效能的定義公式為:
電磁屏蔽的關鍵點有兩個,一個是保證屏蔽體的導電連續性,即整個屏蔽體必須是一個完整的、連續的導電體.另一點是不能有穿過機箱的導體.對于一個實際的機箱,這兩點實現起來都非常困難。
若ZC>(7.9/D·f):
式中的A稱為屏蔽材料的吸收損耗,是電磁波在屏蔽材料中傳播時發生的,計算公式為:
有一種情況需要特別注意,這就是1kHz以下的磁場波.這種磁場波一般由大電流輻射源產生,例如,傳輸大電流的電力線,大功率的變壓器等.對于這種頻率很低的磁場,只能采用高導磁率的材料進行屏蔽,常用的材料是含鎳80%左右的坡莫合金。
若Zc<(7.9/D·f):
選擇屏蔽材料
A=3.34t(fμrσr)(dB)
|ZS|=3.68*10-7(fμr/σr)(Ω)
t=材料的厚度,μr=材料的磁導率,σr=材料的電導率,對于特定的材料,這些都是已知的.f=被屏蔽電磁波的頻率。
首先,一個實用的機箱上會有很多孔洞和孔縫:通風口、顯示口、安裝各種調節桿的開口、不同部分結合的縫隙等.屏蔽設計的主要內容就是如何妥善處理這些孔縫,同時不會影響機箱的其他性能(美觀、可維性、可靠性)。
f=入射電磁波的頻率(Hz),μr=相對磁導率,σr=相對電導率
孔洞和縫隙的電磁泄漏與對策
當電磁波入射到一個孔洞時,其作用相當于一個偶極天線(圖1),當孔洞的長度達到λ/2時,其輻射效率最高(與孔洞的寬度無關),也就是說,它可以將激勵孔洞的全部能量輻射出去。
