MLCC 制作工藝流程： 
1、原材料——陶瓷粉配料關(guān)鍵的部分(原材料決定MLCC的性能)； 
2、球磨——通過球磨機(jī)(大約經(jīng)過2-3天時(shí)間球磨將瓷份配料顆粒直徑達(dá)到微米級(jí))； 
3、配料——各種配料按照一定比例混合； 
4、和漿——加添加劑將混合材料和成糊狀； 
5、流沿——將糊狀漿體均勻涂在薄膜上(薄膜為特種材料，保證表面平整)； 
6、印刷電極——將電極材料以一定規(guī)則印刷到流沿后的糊狀漿體上(電極層的錯(cuò)位在這個(gè)工藝上保證，不同MLCC的尺寸由該工藝保證)； 
7、疊層——將印刷好電極的流沿漿體塊依照容值的不同疊加起來，形成電容坯體版(具體尺寸的電容值是由不同的層數(shù)確定的)； 
8、層壓——使多層的坯體版能夠結(jié)合緊密； 
9、切割——將坯體版切割成單體的坯體； 
10、排膠——將粘合原材料的粘合劑用390攝氏度的高溫將其排除； 
11、焙燒——用1300攝氏度的高溫將陶瓷粉燒結(jié)成陶瓷材料形成陶瓷顆粒(該過程持續(xù)幾天時(shí)間，如果在焙燒的過程中溫度控制不好就容易產(chǎn)生電容的脆裂)； 
12、倒角——將長(zhǎng)方體的棱角磨掉，并且將電極露出來，形成倒角陶瓷顆粒； 
13、封端——將露出電極的倒角陶瓷顆粒豎立起來用銅或者銀材料將斷頭封起來形成銅(或銀)電極，并且鏈接粘合好電極版形成封端陶瓷顆粒(該工藝決定電容的)； 
14、燒端——將封端陶瓷顆粒放到高溫爐里面將銅端(或銀端)電極燒結(jié)使其與電極版接觸縝密；形成陶瓷電容初體； 
15、鍍鎳——將陶瓷電容初體電極端(銅端或銀端)電鍍上一層薄薄的鎳層，鎳層一定要完全覆蓋電極端銅或銀，形成陶瓷電容次體(該鎳層主要是屏蔽電極銅或銀與最外層的錫發(fā)生相互滲透，導(dǎo)致電容老衰)； 
16、鍍錫——在鍍好鎳后的陶瓷電容次體上鍍上一層錫想成陶瓷電容成體(錫是易焊接材料，鍍錫工藝決定電容的可焊性)； 
17、測(cè)試——該流程必測(cè)的四個(gè)指標(biāo)：耐電壓、電容量、DF值損耗、漏電流Ir和絕緣電阻Ri(該工藝區(qū)分電容的耐電壓值，電容的精確度等) 
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一NPO電容器

NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。

NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后

小于±0.05%，相對(duì)大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對(duì)使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。

NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。

二X7R電容器

X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到+125℃時(shí)其容量變化為15%，需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。

X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時(shí)間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。

X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。

電容的主要特性參數(shù)

1容量與誤差：實(shí)際電容量和標(biāo)稱電容量允許的最大偏差范圍。一般分為3級(jí)：I級(jí)±5%，II級(jí)±10%，III級(jí)±20%。在有些情況下，還有0級(jí)，誤差為±20%。

精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級(jí)。

（2）額定工作電壓：電容器在電路中能夠長(zhǎng)期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱耐壓。對(duì)于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。

（3）溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1℃，電容量的相對(duì)變化值。溫度系數(shù)越小越好。

（4）絕緣電阻：用來表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對(duì)而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。

（5）損耗：在電場(chǎng)的作用下，電容器在單位時(shí)間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。

（6）頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場(chǎng)頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電容器，由于介電常數(shù)在高頻時(shí)比低頻時(shí)小，電容量也相應(yīng)減小。損耗也隨頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時(shí)，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會(huì)影響電容器的性能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。不同品種的電容器，最高使用頻率不同。

電解電容，貼片電容，鉭電容，震蕩電容各自的性能和用法

電解質(zhì)電容：容量體積比大、耐壓較低、介質(zhì)損耗大、絕大多數(shù)有極性，多用于低頻電路如濾波、低頻信號(hào)偶合等等。

普通電容：有多種介質(zhì)類型，如紙、云母、瓷、滌綸、獨(dú)石等，較共性的特點(diǎn)是，容量體積比小，容易做成高耐壓，介質(zhì)損耗小，無極性，多用于中、高頻場(chǎng)合做信號(hào)偶合、退偶合、濾波、微分積分電路等。

無論電解電容還是其它電容，它們?cè)诒憩F(xiàn)“電容器“的主要特性上是一致的

1.瓷片電容比電解電容貴，因?yàn)樗男阅鼙容^穩(wěn)定，而且容量偏差和損耗角都比較小。df一般小于1%，容量偏差也小于5%。缺點(diǎn)是價(jià)格高，體積大。

2.電解電容的特點(diǎn)是可以做到體積很小而容量很大，可以節(jié)省使用的空間。但是它的損耗叫很大，在10%以內(nèi)，當(dāng)然df〈5%也是可以訂做得到。而且它的容量偏差一般也在10%以內(nèi)。

3。第三當(dāng)然是一個(gè)穩(wěn)定性的問題了，瓷片電容的性能比較穩(wěn)定，而電解電容長(zhǎng)時(shí)間不用后容量會(huì)偏小，使用時(shí)需要先充電一段時(shí)間才能使用。

貼片電容與電解電容對(duì)比的差異

MLCC高壓貼片電容的主要特點(diǎn)，與電解電容比：
等效串聯(lián)電阻（ESR）小，阻抗（Z）低
在 0.1～10Mhz范圍內(nèi)，MLCC的ESR要比鉭電解電容器小幾十倍。4.7μF的MLCC貼片電容遠(yuǎn)比10倍容量的鋁電解電容器及2倍以上容量的鉭電解電容器阻抗要小得多。因此，在高頻工作條件下，它有可能取代尺寸大或價(jià)格高的鋁電解電容器或鉭電解電容器，并有更好的性能。   
2.額定紋波電流大
電容器的一個(gè)重要功能是用做平滑濾波器，因此額定紋波電流大小是一個(gè)重要性能指標(biāo)。在設(shè)計(jì)濾波電路中，電容器的額定紋波電流要大于電路的最大紋波電流。由于MLCC的ESR小，因此它的額定紋波電流大。這里舉一個(gè)實(shí)例來說明。1500μF/25V的鋁電解電容器的額定紋波電流（100kHz、105℃）為1.95A，而THC系列15μF/25V的MLCC的額定紋波電流是2A（電容量要差100倍！）。這是因?yàn)?/span>MLCC在100kHz時(shí)的ESR小于 0.01Ω，大電流的充、放電不會(huì)使電容器因過熱而損壞。
3.品種規(guī)格齊全
MLCC的品種、規(guī)格齊全。有耐高壓系列（6.3V～5000V）、EMI濾波系列、低阻抗系列、有高精度調(diào)諧系列（RF頻段）及多個(gè)電容器陣列，適合各方面應(yīng)用。
4.尺寸小   可以解決PCB板空間小，插件電容放不下的問題。
5.無極性
 6.漏電小
7.壽命長(zhǎng)，且NPO和X7R的MLCC溫度范圍很寬，-55-125度，電解電容一般用在-20度以上。
8.NPO的MLCC極穩(wěn)定，溫漂（30ppm/度），老化性能比薄膜電容還要好很多，也無壓電效應(yīng)，可惜容量做不大.希望后續(xù)能開發(fā)出更大容量的電容。

電容的作用: 
1）旁路 
旁路電容是為本地器件提供能量的儲(chǔ)能器件，它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化，降低負(fù)載需求。 就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進(jìn)行放電。 為盡量減少阻抗，旁路電容要盡量靠近負(fù)載器件的供電電源管腳和地管腳。 這能夠很好地防止輸入值過大而導(dǎo)致的地電位抬高和噪聲。地電位是地連接處在通過大電流毛刺時(shí)的電壓降。 
2）去藕 
去藕，又稱解藕。 從電路來說， 總是可以區(qū)分為驅(qū)動(dòng)的源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大， 驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電、放電， 才能完成信號(hào)的跳變，在上升沿比較陡峭的時(shí)候， 電流比較大， 這樣驅(qū)動(dòng)的電流就會(huì)吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會(huì)產(chǎn)生反彈），這種電流相對(duì)于正常情況來說實(shí)際上就是一種噪聲，會(huì)影響前級(jí)的正常工作，這就是所謂的“耦合”。 
去藕電容就是起到一個(gè)“電池”的作用，滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。 
將旁路電容和去藕電容結(jié)合起來將更容易理解。旁路電容實(shí)際也是去藕合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關(guān)噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合電容的容量一般較大，可能是10μF 或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)、以及驅(qū)動(dòng)電流的變化大小來確定。旁路是把輸入信號(hào)中的干擾作為濾除對(duì)象，而去耦是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象，防止干擾信號(hào)返回電源。這應(yīng)該是他們的本質(zhì)區(qū)別。 
3）濾波 
從理論上（即假設(shè)電容為純電容）說，電容越大，阻抗越小，通過的頻率也越高。但實(shí)際上超過1μF 的電容大多為電解電容，有很大的電感成份，所以頻率高后反而阻抗會(huì)增大。有時(shí)會(huì)看到有一個(gè)電容量較大電解電容并聯(lián)了一個(gè)小電容，這時(shí)大電容通低頻，小電容通高頻。電容的作用就是通高阻低，通高頻阻低頻。電容越大低頻越容易通過。具體用在濾波中,大電容（1000μF）濾低頻，小電容（20pF）濾高頻。曾有網(wǎng)友形象地將濾波電容比作“水塘”。由于電容的兩端電壓不會(huì)突變，由此可知，信號(hào)頻率越高則衰減越大，可很形象的說電容像個(gè)水塘，不會(huì)因幾滴水的加入或蒸發(fā)而引起水量的變化。它把電壓的變動(dòng)轉(zhuǎn)化為電流的變化，頻率越高，峰值電流就越大，從而緩沖了電壓。濾波就是充電，放電的過程。 
4）儲(chǔ)能 
儲(chǔ)能型電容器通過整流器收集電荷，并將存儲(chǔ)的能量通過變換器引線傳送至電源的輸出端。 電壓額定值為40～450VDC、電容值在220～150 000μF 之間的鋁電解電容器（如EPCOS 公司的 B43504 或B43505）是較為常用的。根據(jù)不同的電源要求，器件有時(shí)會(huì)采用串聯(lián)、并聯(lián)或其組合的形式， 對(duì)于功率級(jí)超過10KW 的電源，通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器