二氧化硅靶

二氧化硅，高純二氧化硅顆粒，二氧化硅靶，二氧化硅蒸發(fā)材料，鍍膜專(zhuān)用二氧化硅?
化學(xué)符號(hào)：SiO2?

沸 ? ?點(diǎn)：2230℃

純 ? ?度：4N

規(guī) ? ?格：1-4mm,顆粒，靶材

分 子 量：60.08?
外 ? ?觀：白色?
熔 ? ?點(diǎn)：1700℃?
密 ? ?度：2.2-2.7g/cm3??
在10-4Torr真空下蒸發(fā)溫度為：1025℃?
透 明 區(qū)/nm：200-8000?
相對(duì)介電常數(shù)：3-4?
擊穿電壓/V？cm-1：106?
厚 ? ?度μm：0.03-0.3?
沉積技術(shù)：反應(yīng)濺射?
折 射 率(波長(zhǎng)/nm)：1.46(500)?
? ? ? ? ? 1.445(1600)?
線膨脹系數(shù)/℃-1:5.5×10-7?
蒸發(fā)方式：電子束?
性 ? ?能： 可用鉭舟加熱蒸發(fā)，也可用三氧化二鋁坩堝加熱蒸發(fā)，但由電阻加熱蒸發(fā)會(huì)產(chǎn)生分解，由電子束加熱蒸發(fā)效果很好；不溶于水和酸，但溶于氫氟酸；其微粒能與熔融堿起作用；?
應(yīng) ? ?用： 二氧化硅用途廣泛，主要用于冷光膜、防反膜、多層膜、濾光片、絕緣膜、眼鏡膜、紫外膜等。?