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| 產品參數 | |||
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| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批號 | 最新 | ||
| 封裝 | 單片包裝 | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 材料 | 磷化銦（InP） | ||
| 拋光 | 單面或雙面 | ||
| 總厚度變化 | <10um | ||
| 彎曲度 | <10um | ||
| 翹曲度 | <12um | ||
| 數量 | 10 | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 型號 | N型、P型、半絕緣 | ||
磷化銦（InP）是由銦和磷組成的二元半導體，與 GaAs 和大多數 III-V 半導體相同，具有閃鋅礦型晶體結構。InP 可以通過白磷和碘化銦在400℃下的反應制備，也可以通過在高溫和高壓下直接組合純化的元素，或通過三烷基銦化合物和膦的混合物的熱分解來制備。可提供2”, 3”, 4”磷化銦晶片，具體參數以2寸的為例：
1. InP 晶片參數
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2. InP 襯底應用
InP可用于制備高功率和高頻電子設備，因為它相對于更常見的半導體硅和砷化鎵具有優異的電子速度。它與InGaAs一起用于制造破紀錄的假晶異質結雙極晶體管（pHEMT），其可以在604GHz下工作。它還具有直接帶隙，使其可用于激光二極管等光電器件。InP作為制造光通信行業光子集成電路的主要技術材料，可以實現波分復用應用。磷化銦還用作外延基于銦鎵砷的光電器件的襯底。
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