高均勻性、低缺陷密度SiC外延片功率器件制造核心材料

可供常規碳化硅（SiC）外延片與定制結構外延片，包括同質外延與異質外延，用于碳化硅器件的開發。我們通常使用化學氣相沉積（CVD）方法在碳化硅襯底上沉積一層單晶或多層單晶薄膜以形成外延晶片。其中，碳化硅同質外延片是通過在導電碳化硅襯底上生長碳化硅外延層來制備的，進一步制成功率器件。具體可參考下方所列碳化硅外延片規格，該外延片可用于制備MOS電容器：

1. 碳化硅外延片參數表

2. 為什么我們需要碳化硅基底外延片？
外延是整個半導體產業流程中的一個重要過程。由于器件不能直接在碳化硅單晶材料上制造，且幾乎是通過外延生長獲得的，碳化硅外延片的質量將對器件的性能產生很大影響。此外，外延層處于整個半導體工藝的中間位置，這在很大程度上受到晶體和襯底工藝的影響。總之，碳化硅外延工藝在器件的制備中起著重要作用。

3. 碳化硅外延片的應用領域
SiC外延晶片主要用于制造600V~3300V功率器件，包括SBD、JBS、PIN、MOSFET、JFET、BJT、GTO、IGBT等，應用于射頻（如：5G通信、雷達）、新能源汽車、固態光源等領域。

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