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| 產品參數 | |||
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| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批號 | 最新 | ||
| 封裝 | 單片包裝 | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 品名 | 碳化硅晶片 | ||
| 晶型 | 4H | ||
| 厚度 | 可定制 | ||
| 表面處理 | 單面或雙面拋光 | ||
| 外觀 | 薄膜片 | ||
| 尺寸 | 4、6、8英寸 | ||
| 數量 | 1 | ||
| 售賣地區 | 全國 | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 用途 | 半導體領域 | ||
| 等級 | 工業級、研究級、測試級 | ||
| 型號 | 半絕緣型 | ||
可提供不同尺寸厚度、不同質量等級的半絕緣型碳化硅單晶材料。以下列舉6英寸半絕緣型碳化硅襯底規格參數僅供參考：
1. 6英寸高純半絕緣4H-SiC襯底規格
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2. 碳化硅半導體材料特性
碳化硅晶片具有優異的熱力學和電化學性能，具體參數如下表：
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3. 半絕緣SiC單晶應用
半絕緣碳化硅晶片主要用于氮化鎵（GaN）外延，制成HEMT等微波射頻器件，用于高溫高頻環境，5G通信、衛星、雷達等領域。
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