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          西門康供應SKKD42F14雙向穩壓二極管雙向可控硅晶閘管庫存充足

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          產品價格: 120.00/人民幣 
          最后更新: 2025-02-26 04:35:41
          產品產地: 江蘇蘇州
          發貨地: 江蘇蘇州 (發貨期:當天內發貨)
          供應數量: 不限
          有效期: 長期有效
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        2. 公司基本資料信息
          • 上海萱鴻電子科技有限公司
          • 李經理小姐 銷售經理
          • 會員[家家通會員產品]
          • 郵件869217999@qq.com
          • 手機18501630698
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          • 地址上海市松江區樂都西路825弄89,90號5層
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          產品詳細說明
          產品參數
          型號SKKD42F14
          批號22
          封裝標準封裝
          內部結構未知
          封裝方式標準
          正向電壓降1400V
          最大反向工作電壓1400V
          擊穿電壓1400V
          額定整流電流42A
          最大反向漏電流42A
          加工定制
          是否進口
          數量999
          品牌西門康

          上海萱鴻電子科技有限公司【誠信商家】一家制造整流二極管,可控硅,整流橋,模塊以及出口型二極管,可控硅。銷售,原裝進口的IR(美國國際整流器)/VISHAY(威士),SEMIKRON(西門康),MITSUBISHI(三菱),INFINEON(英飛凌),SANREX(三社),IXYS(艾克塞斯),NELL(尼爾),FUJU(富士),WESTCODE(西瑪),TOSHIBA(東芝),BUSSMANN(巴斯曼),Siemens(西門子)等國際品牌的整流管,可控硅,整流橋,模塊,IGBT系類。相關更多產品歡迎點擊

          西門康供應 SKKD42F14 雙向穩壓二極管雙向可控硅晶閘管庫存充足:

          1 IGBT額定電壓的選擇

          三相380V輸入電壓經過整流和濾波后,直流電壓的值:

          在開關工作的條件下,fGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據IGBT規格的電壓等級,選擇1 電壓等級的IGBT。

          2 IGBT額定電流的選擇

          以30kW器為例,負載電流約為79A,由于負載電氣啟動或加速時,電流過載,一般要求1分鐘的時間內,承受1.5倍的過流,擇負載電流約為 ,建議選擇電流等級的IGBT。

          3 IGBT開關參數的選擇

          的開關頻率一般小于10 kH Z,而在實際工作的過程中,fGBT的通態損耗所占比重比較大,建議選擇低通態型IGBT,以30 kW ,逆變頻率小于10kH z的變頻器為例,選擇IGBT的開關參數見表1。

          4 影響IGBT可靠性因素

          1)柵電壓。

          IGBT工作時,必須有正向柵電壓,常用的柵驅動電壓值為15~187,用到20V, 而棚電壓與柵極Rg有很大關系,在設計IGBT驅動電路時, 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值,設計合適驅動參數,保證合理正向柵電壓。因為IGBT的工作狀態與正向棚電壓有很大關系,正向柵電壓越高,開通損耗越小,正向壓降也咯小。

          在橋式電路和大功率應用情況下,為了避免干擾,在IGBT關斷時,柵極加負電壓,一般在-5- 15V,保證IGBT的關斷,避免Miller效應影響。

          2)Miller效應。

          為了降低Miller效應的影響,在IGBT柵驅動電路中采用改進措施:(1)開通和關斷采用不同柵電阻Rg,on和Rg,off,確保IGBT的有效開通和關斷;(2)柵源間加c,對Miller效應產生的電壓進行能量泄放;(3)關斷時加負柵壓。在實際設計中,采用三者合理組合,對改進Mille r效應的效果更佳。

          5 結束語

          (1)IGBT是逆變器主要使用的主要功率開關器件,也是逆變器中主要工作器件,合理選擇IGBT是保證IGBT可靠工作的前提,同時,要根據三相逆變電路結構的特點,選擇低通態型IGBT為佳。

          (2)根據IGBT的棚特性。合理設計柵驅動結構, 保證IGBT有效的開通和關斷, 降低Miller效應的影響。


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