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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
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| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批號(hào) | 最新 | ||
| 封裝 | 單片包裝 | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 數(shù)量 | 10 | ||
| 直徑 | 2、3、4英寸 | ||
| 晶向 | (100) | ||
| 拋光 | 單面、雙面 | ||
| 使用 | 開盒即用 | ||
| 可售賣地 | 全國(guó) | ||
| 型號(hào) | N型、P型 | ||
銻化鎵(GaSb)半導(dǎo)體在 III-V族化合物材料中具有較小的帶隙,在室溫下其能帶隙為 0.70 eV (1.77 μm),在 4K 下為 0.81 eV (1.53 μm),適用于工作在紅外區(qū)域的光電器件和波長(zhǎng)范圍為 1-5 μm 的電子器件??商峁╀R化鎵晶片如下:
1. 銻化鎵單晶片
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2.?銻化鎵材料特性
2.1 GaSb 化學(xué)性質(zhì)
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2.2 GaSb 電氣性能
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2.3 GaSb 熱學(xué)、機(jī)械和光學(xué)性能
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3. 銻化鎵晶片應(yīng)用
GaSb晶片可用于紅外探測(cè)器、紅外LED、激光器和晶體管以及熱光電系統(tǒng)。
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