BSM300GA120DN2單向可控硅功率半導體igbt英飛凌晶閘管全新原裝

上海萱鴻電子提供巴斯曼Bussmann、英飛凌infineon、西門康、西門子Siemens、三社、艾賽斯、日之出、富士等廠家熔斷器、可控硅模塊、晶閘管、IGBT模塊、二極管整流橋的半島體模塊.

BSM300GA120DN2?單向可控硅 功率半導體igbt 英飛凌晶閘管 全新原裝

1 IGBT額定電壓的選擇

三相380V輸入電壓經過整流和濾波后，直流電壓的值：

在開關工作的條件下，fGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，根據IGBT規格的電壓等級，選擇1 電壓等級的IGBT。

2 IGBT額定電流的選擇

以30kW器為例，負載電流約為79A，由于負載電氣啟動或加速時，電流過載，一般要求1分鐘的時間內，承受1.5倍的過流，擇負載電流約為 ，建議選擇電流等級的IGBT。

3 IGBT開關參數的選擇

的開關頻率一般小于10 kH Z，而在實際工作的過程中，fGBT的通態損耗所占比重比較大，建議選擇低通態型IGBT，以30 kW ，逆變頻率小于10kH z的變頻器為例，選擇IGBT的開關參數見表1。

4 影響IGBT可靠性因素

1）柵電壓。

IGBT工作時，必須有正向柵電壓，常用的柵驅動電壓值為15～187，用到20V， 而棚電壓與柵極Rg有很大關系，在設計IGBT驅動電路時， 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值，設計合適驅動參數，保證合理正向柵電壓。因為IGBT的工作狀態與正向棚電壓有很大關系，正向柵電壓越高，開通損耗越小，正向壓降也咯小。

在橋式電路和大功率應用情況下，為了避免干擾，在IGBT關斷時，柵極加負電壓，一般在-5- 15V，保證IGBT的關斷，避免Miller效應影響。

2）Miller效應。

為了降低Miller效應的影響，在IGBT柵驅動電路中采用改進措施：（1）開通和關斷采用不同柵電阻Rg,on和Rg,off，確保IGBT的有效開通和關斷；（2）柵源間加c，對Miller效應產生的電壓進行能量泄放；（3）關斷時加負柵壓。在實際設計中，采用三者合理組合，對改進Mille r效應的效果更佳。

5 結束語

（1）IGBT是逆變器主要使用的主要功率開關器件，也是逆變器中主要工作器件，合理選擇IGBT是保證IGBT可靠工作的前提，同時，要根據三相逆變電路結構的特點，選擇低通態型IGBT為佳。