N型、P型、半絕緣型磷化銦（InP）化合物半導體襯底片

磷化銦（InP）是由銦和磷組成的二元半導體。它具有閃鋅礦型晶體結構，與GaAs和大多數III-V半導體相同。磷化銦可以通過白磷和碘化銦在400℃下的反應制備，也可以通過在高溫和高壓下直接組合純化的元素，或通過三烷基銦化合物和膦的混合物的熱分解來制備。可提供2”, 3”, 4”磷化銦晶片，具體參數以2寸的為例：

1. 2英寸磷化銦晶片規格參數

2. 磷化銦晶片用途
磷化銦用于高功率和高頻電子設備，因為它相對于更常見的半導體硅和砷化鎵具有優異的電子速度。它與銦鎵砷一起用于制造破紀錄的假晶異質結雙極晶體管，其可以在604GHz下工作。它還具有直接帶隙，使其可用于激光二極管等光電器件。磷化銦作為制造光通信行業光子集成電路的主要技術材料，可以實現波分復用應用。磷化銦還用作外延基于銦鎵砷的光電器件的襯底。

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