III-V化合物半導體銻化銦（InSb）襯底晶片，N、P型

銻化銦（InSb）是由元素銦（In）和銻（Sb）制成的結晶化合物，具有穩定的物理化學性能和優良的工藝相容性。它是III-V族的窄間隙半導體材料，可提供2”, 3”, 4” 銻化銦單晶片，參數如下：

1. 銻化銦單晶片規格參數

2. 銻化銦單晶片特性
2.1 物理性質
InSb 外觀為深灰色銀色金屬顆粒或具有玻璃光澤的粉末。當加熱超過 500°C 時，它會熔化并分解，釋放出銻和氧化銻煙霧。晶體結構為閃鋅礦，晶格常數為 0.648 nm。
分子量：236.58
外觀：深灰色金屬晶體
熔點：527°C
密度：5.78 g/cm3
水中溶解度：不溶
2.2 電子特性
InSb?屬于窄帶隙半導體，能帶隙在 300 K 時為 0.17 eV，在 80 K 時為 0.23 eV。除碳納米管外，未摻雜的 InSb 擁有高于已知半導體材料的室溫電子遷移率（78000 cm2/Vs），電子漂移速度和彈道長度（在 300 K 時可達 0.7 m）。

3.?銻化銦單晶片的用途
1）紅外探測領域：制成紅外焦平面探測器，用于天文觀測（收集太空紅外圖像）、紅外成像（應用領域涵蓋安全監視、輔助駕駛、工業檢測等各領域）、集成探測等
2）?磁敏器件

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