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          Anric原子層沉積系統,AT-410AtomicLayerDepositionSystem

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          產品價格: 100.00/人民幣 
          最后更新: 2023-09-13 19:06:25
          產品產地: 湖北武漢
          發貨地: 湖北武漢 (發貨期:當天內發貨)
          供應數量: 不限
          有效期: 長期有效
          最少起訂: 1
          瀏覽次數: 128
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        2. 公司基本資料信息
          • 武漢邁可諾科技有限公司
          • 趙經理先生 銷售經理
          • 會員[試用會員產品]
          • 郵件tchiu@mycroinc.com
          • 手機18221354817
          • 電話
          • 傳真
          • 地址武珞路628號亞洲貿易廣場
          • 進入商鋪
           
          產品詳細說明
          產品參數
          品牌美國Anric
          前級泵10L/min
          加熱方式普通標準加熱
          外形尺寸桌面式
          外包材質紙盒
          基準溫度25℃
          漏率小于1.0E-8Pa.m3/s
          發貨地武漢
          產地美國(原裝進口)
          起訂量1套起批
          可售賣地全國
          型號AT-410

          概括

          原子層沉積(Atomic layer deposition)是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中,新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的,這種方式使每次反應只沉積一層原子。



          應用領域

          原子層沉積技術由于其沉積參數的高度可控型(厚度,成份和結構),優異的沉積均勻性和*性使得其在微納電子和納米材料等領域具有廣泛的應用潛力。該技術應用的主要領域包括:

          1)?晶體管柵極介電層(high-k)和金屬柵電極(metal gate)

          2)?微電子機械系統(MEMS)

          3)?光電子材料和器件

          4)?集成電路互連線擴散阻擋層

          5)?平板顯示器(有機光發射二極管材料,OLED)

          6)?互連線勢壘層

          7)?互連線銅電鍍沉積籽晶層(Seed layer)

          8)?DRAM、MRAM介電層

          9)?嵌入式電容

          10)?電磁記錄磁頭

          11)?各類薄膜 lt;100nm)


          技術參數:

          基片尺寸:4英寸、6英寸;

          加熱溫度:25℃~350℃;

          溫度均勻性:±1℃;

          前體溫度范圍:從室溫至150℃,±2℃;可選擇加熱套;

          前驅體數:一次同時可處理多達?5?個?ALD?前體源;

          PLC?控制系統:7英寸16?位彩色觸摸屏HMI控制;

          模擬壓力控制器:用于快速壓力檢測和脈沖監測

          樣品上載:將樣品夾具從邊上拉出即可;

          壓力控制裝置:壓力控制范圍從0.1~1.5Torr

          兩個氧化劑/還原劑源,如水,氧氣或氨氣;

          在樣品上沒有大氣污染物,因為在沉積區的附近或上游處無?Elestamor O?型圈出現;

          氧化鋁催化劑處理能力:6-10?次/分鐘或高達?1.2?納米/?分鐘(同類zui佳)

          高縱橫比沉積,具有良好的共形性

          曝光控制,用于在?3D?結構上實現所需的共形性;

          預置有經驗證過的?3D?和?2D?沉積的優化配方;

          簡單便捷的系統維護及安全聯鎖;

          目前市面上占地zui小,可兼容各類潔凈室要求的系統;

          可以為非標準樣品而訂制的夾具,如?SEM / TEM?短截線


          原子層沉積ALD的應用包括:

          1) High-K介電材料?(Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3);

          2)導電門電極?(Ir, Pt, Ru, TiN);

          3)金屬互聯結構?(Cu, WN, TaN,Ru, Ir);

          4)催化材料?(Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);

          5)納米結構?(All ALD Material);

          6)生物醫學涂層?(TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);

          7) ALD金屬?(Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);

          8)壓電層?(ZnO, AlN, ZnS);

          9)透明電學導體?(ZnO:Al, ITO);

          10)紫外阻擋層?(ZnO, TiO2);

          11) OLED鈍化層?(Al2O3);

          12)光子晶體?(ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);

          13)防反射濾光片?(Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);

          14)電致發光器件?(SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);

          15)工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等?(Al2O3, ZrO2);

          16)光學應用如太陽能電池、激光器、光學涂層、納米光子等?(AlTiO, SnO2, ZnO);

          17)傳感器?(SnO2, Ta2O5);

          18)磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層?(Al2O3, ZrO2, WS2);


          目前可以沉積的材料包括:

          1)氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2

          2)氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ?

          3)氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2,

          4)金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ?

          5)碳化物: TiC, NbC, TaC, ?

          6)復合結構材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ?

          7)硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS,




          邁可諾技術有限公司

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