MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)
是生長(zhǎng)高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜材料的
技術(shù)，在LED、半導(dǎo)體激光器、太陽(yáng)能電池等多個(gè)領(lǐng)域都有應(yīng)用。現(xiàn)有MOCVD設(shè)備
的成本非常高，且完全依賴(lài)進(jìn)口，進(jìn)行MOCVD設(shè)備研究對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、新能源
領(lǐng)域以及國(guó)防高端技術(shù)的發(fā)展都很有必要。
MOCVD設(shè)備可以分為核心的腔體反應(yīng)室、加熱器、冷卻系統(tǒng)、氣體輸運(yùn)系統(tǒng)以
及整體控制系統(tǒng)。本文重點(diǎn)研究了氣體輸運(yùn)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，包括結(jié)構(gòu)組成和部分控制難
點(diǎn)，并對(duì)該系統(tǒng)今后的發(fā)展陳述了自己的觀點(diǎn)。
氣體輸運(yùn)系統(tǒng)的作用是把包括載氣和源氣在內(nèi)的所有氣體輸送至腔體參與反應(yīng)，
并把反應(yīng)后的氣體輸送至排氣管路進(jìn)行尾氣處理。氣體輸運(yùn)包括源供給系統(tǒng)，
反應(yīng)室內(nèi)多余的氣體帶入尾氣處理系統(tǒng)。由于腔體內(nèi)管路很復(fù)雜，而且避免MO源的壁面沉積
)對(duì)氣體流經(jīng)的關(guān)鍵管路持續(xù)吹掃。基于安全考慮，設(shè)備需
要定期進(jìn)行泄漏檢查。
由于MOCVD系統(tǒng)中所采用的大多數(shù)源均易燃易爆，雨其中的氫化物源又有劇毒，因此，必須對(duì)反應(yīng)過(guò)后的尾氣進(jìn)行處理。通常采用的處理方式是將尾氣先通過(guò)微粒過(guò)濾器去除其中的微粒
