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功率（KW）
50
100
160
250
500
1000
＞1000
頻率
10-1
10-1
8-1
6-1
2.5-0.5
1-0.5
1-0.2
溫度(攝氏度)
1250-1100特殊材質如鉬，溫度可達1500攝氏度以上
直徑（mm）
10-2.5
10-30
15-40
15-80
50-100
80-100
＞100
加熱率（kg/h）
145
300
444
750
1500
3000
＞3000
電耗（KW.h/t）
＜360
1、中頻電源逆變可控硅水冷套內斷水或散熱效果下降更換水冷套。有時觀察水冷套的出水量和壓力是足夠的，但經常由于水質問題，在水冷套的壁上附著一層水垢，由于水垢是一種導熱性級差的物體，雖然有足夠的水流量流過，但因為水垢的隔離是其散熱效果大大降低。其判斷方法是：將功率運行在較低于該過流值的功率下約十分鐘，迅速停機，停機后迅速用手觸摸可控硅元件的芯部，若感覺到燙手，則該故障是由此原因引起的。
2、槽路連接導線有接觸不良和斷線情況，檢查槽路連接導線，根據實際情況酌情處理。當槽路連接導線有接觸不良或斷線情況時，功率升到一定值后會產生打火現象，影響了設備的正常工作，從而導致設備保護動作。有時因打火時會在可控硅兩端產生瞬時過電壓，如果過壓保護動作來不及，會燒壞可控硅元件。該現象經常會出現過電壓、過電流同時動作。
3、負載對地絕緣降低，負載回路的絕緣降低，引起負載對地間打火，干擾了脈沖的觸發時間或在可控硅兩端形成高壓，燒壞可控硅元件。
4、中頻電源可控硅在反相關斷時，承受反向電壓的瞬時毛刺電壓過高;在中頻電源的主電路中，瞬時反相毛刺電壓是靠阻容吸收來吸收的。如果吸收電路中電阻、電容開路均會使瞬時反相毛刺電壓過高燒壞可控硅。在斷電的情況下用萬用表測量吸收電阻阻值、吸收電容容量，判斷是否阻容吸收回路出現故障。
5、脈沖觸發回路故障;在設備運行時如果突然丟失觸發脈沖，將造成逆變開路，中頻電源輸出端產生高壓，燒壞可控硅元件。這種故障一般是逆變脈沖形成、輸出電路故障，可用示波器進行檢查，也可能是逆變脈沖引線接觸不良，可用手搖晃導線接頭，找出故障位置。
6、設備在運行時負載開路;當設備正在大功率運行時，如果突然負載處于開路狀態，將在輸出端形成高壓燒壞可控硅元件。
7、設備在運行時負載短路;當設備在大功率運行時，如果負載突然處于短路狀態，將對可控硅有一個很大的短路電流沖擊，若過電流保護動作不及時保護，將燒壞可控硅元件。
8、保護系統故障(保護失靈);可控硅能否安全，主要是由保護系統來保證的，如果保護系統出現故障，設備稍有一點工作不正常，將危機到可控硅安全。所以，當可控硅燒壞時對保護系統的檢查是必不可少的。
9、可控硅冷卻系統故障;可控硅在工作時發熱量很大，需要對其冷卻才能保證正常工作，一般可控硅的冷卻有兩種方式：一種是水冷，另一種是風冷。水冷的應用較為廣泛，風冷一般只用于100KW以下的電源設備。通常采用水冷方式的中頻設備均設有水壓保護電路，但基本上都是總進水的保護，若某一路出現水堵，是無法保護的。
10、電抗器故障;電抗器內部打火造成逆變側的電流斷續，也會在逆變輸入側產生高壓燒壞可控硅。另外，如果在維修中更換了電抗器，而電抗器的電感量、鐵芯面積小于要求值，會使電抗器在大電流工作時，因飽和失去限流作用燒壞可控硅。
感應透熱設備功率估計
鍛造工藝使用的感應透熱設備，由于每個工廠的鍛造工藝不一樣，所以要使用感應透熱來加熱鍛件，必須根據自己的實際情況配置設備。有幾種方式確定配置加熱設備的功率：
根據已知的鍛件尺寸和生產節拍決定。例如，某廠已知現有的鍛件坯料為φ50×120，工作節拍為12秒/件（包括輔助時間），初鍛溫度為1200℃。計算配置功率。計算φ50×120的質量為1.838Kg。
P=（0.156×1200×1.838）/（0.24×0.6×12）=199.11KW
式中：0.156—黑色金屬的平均比熱；1.838—工件的質量（Kg）；1200—工件加熱的溫升；0.24—功熱當量；0.6—平均效率（本例取0.6，一般可取0.5～0.65，異型感應器更低，取0.4）；12—工作節拍（秒）
根據以上計算，可以配置額定功率為250KW的2.5KHz感應加熱設備。
功熱當量；0.6—平均效率（本例取0.6，一般可取0.5～0.65，異型感應器更低，取0.4）；12—工作節拍（秒）
根據以上計算，可以配置額定功率為250KW的2.5KHz感應加熱設備
