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CNT生產(chǎn)的CVD（真空化學(xué)氣相沉積爐）是一種用于在基片上生成高質(zhì)量TiC、SiC、SiO2、Si3N4專用設(shè)備。淀積溫度能夠較高 (100～1700℃可調(diào) ) ，它已成為機械制造工業(yè)、冶金工業(yè)、光學(xué)工業(yè)、半導(dǎo)體工業(yè)等領(lǐng)域微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備。
※產(chǎn)品特點：
CNT公司CVD設(shè)備主要由全真空專用不銹鋼腔體，分子泵或擴散泵高真空系統(tǒng)，電源，生長機體載體及溫控系統(tǒng)，獨立排氣和生長壓力調(diào)節(jié)系統(tǒng)，冷卻循環(huán)水輔助設(shè)備等組成。整機結(jié)構(gòu)緊湊、操作方便、抽真空速度快。此設(shè)備控制系統(tǒng)采用邏輯按鈕手動控制與工控機自控控制可選。實現(xiàn)真空抽氣和鍍膜工藝一體化功能。此設(shè)備可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜等。
