原裝西門康IGBT模塊SKIIP1513GB172-3DUL

　　大多數過電壓保護電路的設計都比較完善，但是對于由高du/dt所致的過電壓故障，在設計中基本上都是采用無感電容或者RCD結構的吸收電路。由于吸收電路設計的吸收容量不夠，會造成IGBT管損壞，對此可采用電壓鉗位，往往在集電極和柵極兩端并接齊納二極管（推薦使用美國Diodes公司的1.5KE××A產品系列），采用柵極電壓動態控制方式。當集電極電壓瞬間超過齊納二極管的鉗位電壓時，超出的電壓將疊加在柵極上（米勒效應起作用），避免了IGBT管因受集電極一發射極過電壓而損壞。

　　采用柵極電壓動態控制可以解決由于過高的du/dt帶來的集電極一發射極瞬間過電壓問題，但是它的弊端是：當IGBT管處于感性負載運行狀態時，關斷的IGBT管由于其反并聯二極管（續流二極管）的恢復，其集電極和發射極兩端的電壓急劇上升，承受很高的瞬間du/dt。在多數情況下該du/dt值要比IGBT管正常關斷時的集電極一發射極電壓上升率高。

　　由于米勒電容(Cres)的存在，該du/dt值將在集電極和柵極之間產生一個瞬間電流流向柵極驅動電路。該電流與柵極電路的阻抗相互作用，直接導致柵極一發射極電壓UGE升高，甚至超過IGBT管的開通門限電壓UGEth，出現的惡劣情況就是使IGBT管被誤觸發導通。